Samsung ha desvelado nuevos datos sobre su proceso 2 nm Gate-All-Around (GAA), una tecnología clave para competir en la carrera del encapsulado avanzado y la fabricación de semiconductores de próxima generación. Estos avances llegarán inicialmente con el Exynos 2600, el SoC destinado a debutar con este nodo y que podría marcar el regreso a la rentabilidad del negocio interno de chips de la marca surcoreana a partir de 2027. El nodo incorpora canales envolventes, mejoras en la modulación de corriente y un diseño optimizado para cargas IA y móviles, donde la densidad térmica es un factor crítico.
Mejoras en rendimiento, eficiencia y reducción de área frente al nodo 3 nm GAA
Según medios especializados en Corea del Sur, el proceso 2 nm GAA ofrece un incremento de rendimiento del 5%, una mejora de eficiencia energética del 8% y una reducción de área del 5% respecto a la iteración previa en 3 nm GAA. Aunque estas cifras son más conservadoras que las previsiones iniciales, el recorte de área resulta especialmente relevante para integrar más lógica en el mismo espacio, impulsar arquitecturas heterogéneas y reducir pérdidas térmicas en aceleradores destinados a modelos de IA, procesamiento fotográfico y computación móvil sostenida.
La arquitectura GAA sigue siendo una apuesta estratégica para la firma, que busca consolidar un roadmap competitivo en nodos avanzados. Con finFET prácticamente estancado en escalabilidad, el salto al transistor envolvente permite mejorar el control electrostático y empujar la densidad más allá del umbral donde los procesos tradicionales empiezan a no ser sostenibles.
Los yields del nodo 2 nm suben al 50–60 %, un salto clave para viabilidad comercial
Uno de los datos más relevantes del informe es la mejora sustancial en el yield, que asciende a un rango entre 50% y 60%, muy por encima del ~30% estimado anteriormente. Este salto es imprescindible para garantizar volúmenes viables en producción masiva y aumentar la salida mensual de obleas para el Exynos 2600, situada actualmente alrededor de 15.000 unidades/mes. La firma también presume de contratos con fabricantes de hardware de minería como MicroBT y Canaan, además de un acuerdo de 16.500 millones de dólares con Tesla hasta 2033, lo que refuerza su presencia en sectores con demanda estable de nodos avanzados.
Aun así, el liderazgo sigue en manos de TSMC, que domina el mercado con una cuota del 70,2%, frente al 7,3% de Samsung. Pese a ello, los progresos del 2 nm GAA revelan una estrategia clara para recuperar relevancia en un mercado que se volverá aún más competitivo con la llegada de los nodos sub-2 nm.
Vía: NotebookCheck
