Samsung anunció ayer la producción en masa de los primeros chips de memoria GDDR7 de nueva generación del mundo, y Ryan Smith, de AnandTech, obtuvo algunos detalles técnicos de la compañía.
Al parecer, la primera versión de producción de memoria GDDR7 de la compañía se fabrica en el mismo nodo de fundición de silicio D1z que su chip de memoria GDDR6 a 24 Gbps, el chip GDDR6 más rápido en producción. D1z es un nodo de fundición de 10 nm que utiliza litografía EUV.
Smith también anotó algunas especificaciones de carácter eléctrico. El chip de memoria GDDR7 de primera generación ofrece una velocidad de datos de 32 Gbps a un voltaje de DRAM de 1,2 V, en comparación con los 1,35 V a los que funcionan algunos de los chips GDDR6 de mayor velocidad.
Aunque el pJpb (pico-Joules por bit) es un 7% superior al de la actual generación en términos absolutos, para la velocidad de datos de 32 Gbps que ofrece, es un 20% inferior en comparación con la del chip GDDR6 de 24 Gbps.
En pocas palabras, GDDR7 es un 20% más eficiente desde el punto de vista energético. Smith señala que este incremento de la eficiencia energética es puramente arquitectónico y no se debe a ninguna mejora del nodo D1z.
GDDR7 utiliza PAM3 en comparación con NRZ de la GDDR6 convencional y PAM4 del estándar GDDR6X no JEDEC que NVIDIA ha desarrollado junto con Micron Technology.
Vía: TechPowerUp
