Tras mostrarla por primera vez el pasado mes, Samsung ha anunciado ahora que la fase de desarrollo de la primera solución DRAM GDDR7 del sector ha concluido. Esta nueva solución de memoria de alta velocidad de Samsung llega tras la primera DRAM GDDR6 de 24 Gbps de la industria del pasado año.
Según Yongcheol Bae, Vicepresidente Ejecutivo del Equipo de Planificación de Productos de Memoria de Samsung Electronics, «Nuestra DRAM GDDR7 contribuirá a elevar la experiencia del usuario en áreas que requieren un excelente rendimiento gráfico, como los workstations, los PCs y las consolas, y se espera que se extienda a aplicaciones futuras como la IA, la HPC (High Performance Computing) y los vehículos de automoción.»
Los aspectos técnicos más destacados de este nuevo chip de memoria incluyen un ancho de banda 1,4 veces superior al de GDDR6 (1,5 TBps frente a 1,1 TBps), una velocidad máxima incrementada por pin de 32 Gbps, así como una sólida mejora del 20% en eficiencia energética.
A esto hay que añadir el uso de un compuesto de moldeo epoxi para el material de encapsulado que, junto con la optimización de la arquitectura de CI de estos nuevos chips de memoria, reducen la resistencia térmica en un enorme 70% con respecto a GDDR6.
Los primeros productos de hardware que utilicen la nueva DRAM GDDR7 de Samsung podrían llegar al mercado a finales de 2023, si todo va según lo previsto. En los próximos meses se conocerá más información directamente a través de los distintos socios de Samsung implicados, así que permaneced atentos.
Vía: NotebookCheck
