Está prácticamente confirmado que el próximo Snapdragon 8 Gen 3 se fabricará en el nodo de proceso N4P de TSMC, lo que lo sitúa en desventaja teórica frente al A17 Bionic basado en el N3B de TSMC. Sin embargo, la situación podría ser más compleja el próximo año si un reciente Tweet del filtrador @tech_reve resulta verídico.
Al parecer, Qualcomm tiene previsto fabricar el Snapdragon 8 Gen 4 en dos fuentes. Una variante del SoC, probablemente destinada al uso general, se fabricará en TSMC N3E. Por otro lado, el Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy, su versión exclusiva para Samsung, se fabricará en el nodo 3GAP de Samsung Foundries. Curiosamente, también se espera que el chip Dream Team, también conocido como Exynos 2500, siga sus pasos.
Aunque no es raro que los OEM se abastezcan de chips de dos fundiciones diferentes, la única vez que Apple lo intentó con el A9 en 2015 se produjo un auténtico desastre (el Chipgate). Sin embargo, en lugar de que el público en general se resienta, esta vez solo se verán afectados los usuarios de Samsung. No obstante, será interesante ver cómo se comportan las dos variantes del Snapdragon 8 Gen 4 en el mundo real.
El historial poco brillante de Samsung Foundries hace que sea fácil descartar sus productos como inferiores. Sin embargo, su diseño de transistor de puerta de enlace completa podría ayudar a salvar la enorme brecha de rendimiento/térmica/eficiencia entre las ofertas de TSMC de especificaciones similares.
Esto, combinado con los nuevos núcleos Nuvia del CPU del Snapdragon 8 Gen 4 y la compatibilidad con dGPU externas, podría otorgarle la tan necesaria ventaja competitiva para enfrentarse a Apple.
Vía: NotebookCheck
