Representantes de SK Hynix revelaron el último avance de la compañía en el desarrollo de 3D NAND en la conferencia ISSCC 2023. Se mostraron detalles de un nuevo prototipo de memoria flash con más de 300 capas, y el fabricante afirmó que un equipo de 35 ingenieros había contribuido al material de la presentación.
Para resaltar el incremento de rendimiento que ofrecen las mejoras del prototipo, se ha comparado con la 3D NAND de séptima generación de 238 capas de SK Hynix, que ostentaba el anterior récord. La nueva 3D NAND de octava generación registró cifras de ancho de banda con un máximo de 194 MB/s, que contrasta favorablemente con la tasa de 164 MB/s del anterior modelo, lo que representa un incremento del rendimiento del 18%.
La densidad de grabación también se beneficia del diseño de más de 300 capas activas, y SK Hynix señala una capacidad de 1 TB (128 GB) con celdas de triple nivel y una densidad de bits superior a 20 GB/mm^2.
El chip presenta un tamaño de página de 16 KB, cuatro planos y una interfaz de 2400 MT/s. El mayor grado de densidad se traducirá en un menor coste por TB durante el proceso de fabricación. Se espera que el consumidor final se beneficie del incremento de rendimiento y capacidad.
Se han identificado cinco áreas de aplicación tecnológica para la 3D NAND de octava generación:
- Función TPGM (Triple-Verify Program) que estrecha la distribución del umbral de voltaje de la célula y reduce tPROG (tiempo de programa) en un 10%, lo que se traduce en un mayor rendimiento.
- Adaptive Unselected String Pre-Charge (AUSP): otro procedimiento que reduce tPROG en torno al 2%.
- Esquema All-Pass Rising (APR) que reduce tR (tiempo de lectura) en aproximadamente un 2% y recorta el tiempo de subida de la línea de texto
- PDS (Programmed Dummy String): técnica que reduce el tiempo de estabilización de la línea de texto para tPROG y tR mediante la reducción de la carga de capacitancia del canal.
- PLRR (Plane-Level Read Retry), que permite cambiar el nivel de lectura de un plano sin interrumpir el resto, por lo que los comandos de lectura posteriores se emiten de forma inmediata y se mejora la calidad del servicio (QoS) y, por tanto, el rendimiento de la lectura.
Los representantes de SK Hynix no han facilitado ningún plazo en concreto para la producción y eventual fecha de lanzamiento de su innovadora 3D NAND. Los expertos del sector estiman que las placas de memoria no llegarán a comercializarse hasta muy finales de 2024, o en algún momento de 2025.
Mientras tanto, se espera que la 3D NAND de séptima generación de 238 capas de SK Hynix se integre en el ciclo de producción de los nuevos productos de memoria que se pondrán a la venta a lo largo del presente año.
Vía: TechPowerUp
