Samsung prepara HBM4E con base die de 2 nm para ampliar su ventaja frente a SK hynix y TSMC
Samsung estaría preparando un nuevo salto tecnológico en el sector de memoria HBM, ya que diversos informes apuntan a que la compañía planea emplear un proceso de 2 nm para el base die de HBM4E, la próxima generación de memoria de alto ancho de banda. Esta decisión llega apenas un mes después de que el … Samsung prepara HBM4E con base die de 2 nm para ampliar su ventaja frente a SK hynix y TSMC









