Según los informes, Samsung y TSMC tienen problemas con los rendimientos de 3 nm

Según el medio coreano ChosunBiz, tanto Samsung como TSMC tienen problemas con el rendimiento de sus nodos de 3 nm. Samsung utiliza la tecnología GAA FET (Gate All Around), mientras que TSMC sigue con su tecnología FinFET. Dicho esto, TSMC dispone de al menos cinco nodos de 3 nm conocidos, de los cuales dos deberían … Según los informes, Samsung y TSMC tienen problemas con los rendimientos de 3 nm