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Samsung prepara SSD BM9K1 con controlador RISC-V y reduce dependencia del IP de ARM

Samsung continúa ampliando su estrategia tecnológica con un movimiento relevante dentro del sector de almacenamiento, donde empieza a introducir cambios estructurales en su diseño interno. La compañía estaría desarrollando una nueva generación de SSD bajo la serie BM9K1, cuyo elemento clave sería un controlador basado en arquitectura RISC-V, marcando así un primer paso real para Samsung prepara SSD BM9K1 con controlador RISC-V y reduce dependencia del IP de ARM

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Samsung Galaxy S26 FE podría montar el Exynos 2500 con hasta un 33% menos de rendimiento

Samsung Galaxy S26 FE podría montar el Exynos 2500 con hasta un 33% menos de rendimiento frente al Galaxy S26

El Samsung Galaxy S26 FE vuelve a escena a través de una filtración que apunta a un cambio poco acertado en su base técnica. Este modelo, históricamente ligado a ofrecer un equilibrio entre precio y prestaciones, podría apostar por el SoC Exynos 2500, una decisión que supone un retroceso claro frente al Exynos 2600 presente Samsung Galaxy S26 FE podría montar el Exynos 2500 con hasta un 33% menos de rendimiento

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Samsung lanza la HW-Q990H 2026 con IA mejorada, pero sin cambios en hardware ni diseño

Samsung lanza la HW-Q990H 2026 con IA mejorada, pero sin cambios en hardware ni diseño

Samsung ha lanzado discretamente su nueva barra de sonido HW-Q990H 2026, sustituyendo al modelo anterior dentro de su gama alta. A diferencia de otros lanzamientos más ambiciosos, esta nueva generación introduce mejoras centradas en software e inteligencia artificial, sin cambios relevantes en el diseño ni en la arquitectura del sistema. Este enfoque explica por qué Samsung lanza la HW-Q990H 2026 con IA mejorada, pero sin cambios en hardware ni diseño

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Samsung subirá el precio de Galaxy S25 Edge, Z Fold 7 y Flip 7 por el encarecimiento de la memoria

Samsung subirá el precio de Galaxy S25 Edge, Z Fold 7 y Flip 7 por el encarecimiento de la memoria

La estrategia de precios de Samsung podría cambiar de forma inmediata en varios de sus modelos más recientes. Según informes procedentes de Corea del Sur, la compañía estaría preparando una subida de precios en dispositivos como el Galaxy S25 Edge, Galaxy Z Fold 7 y Galaxy Z Flip 7, especialmente en configuraciones de almacenamiento más Samsung subirá el precio de Galaxy S25 Edge, Z Fold 7 y Flip 7 por el encarecimiento de la memoria

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Samsung impulsa su nodo de 2 nm GAA SF2P ante la escasez de 3 nm de TSMC y apunta a captar nuevos clientes

Samsung impulsa su nodo de 2 nm GAA SF2P ante la escasez de 3 nm de TSMC y apunta a captar nuevos clientes

El dominio de TSMC en nodos avanzados está generando una situación paradójica: su éxito en 3 nm está limitando el acceso a clientes clave, priorizando a socios estratégicos como Apple y dejando fuera a parte del mercado. Esta tensión entre oferta y demanda está provocando que muchos diseñadores de chips no puedan asegurar capacidad de Samsung impulsa su nodo de 2 nm GAA SF2P ante la escasez de 3 nm de TSMC y apunta a captar nuevos clientes

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Samsung apunta al nodo de 1 nm con tecnología Fork Sheet y producción prevista para 2031

Samsung apunta al nodo de 1 nm con tecnología Fork Sheet y producción prevista para 2031

El sector de semiconductores vuelve a poner el foco en Samsung, que ya trabaja en su futuro nodo de 1 nm, considerado el siguiente gran salto tras los procesos de 2 nm GAA (Gate-All-Around). Según diversas informaciones, la compañía coreana tendría previsto completar su fase de I+D en 2030, con el objetivo de iniciar la Samsung apunta al nodo de 1 nm con tecnología Fork Sheet y producción prevista para 2031

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Samsung BM9K1 con RISC-V alcanza 11,4 GB/s en SSD PCIe 5.0 con QLC NAND

Samsung BM9K1 con controlador RISC-V alcanza 11,4 GB/s en SSD PCIe 5.0 QLC y anticipa un cambio de arquitectura en su catálogo

Samsung ha presentado el SSD BM9K1, una nueva solución de almacenamiento basada en PCIe 5.0 que introduce un cambio relevante en su estrategia: el uso de un controlador RISC-V propio en lugar de la tradicional arquitectura Arm. Este movimiento no solo afecta al diseño interno del dispositivo, sino que anticipa una evolución progresiva en su Samsung BM9K1 con RISC-V alcanza 11,4 GB/s en SSD PCIe 5.0 con QLC NAND

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Galaxy S26 con Exynos 2600 pierde 2 h 38 min frente al modelo con Exynos 2600 en prueba de batería

Galaxy S26 con Exynos 2600 pierde 2 h 38 min frente al modelo con Exynos 2600 en prueba de batería

Una nueva comparativa entre versiones del Galaxy S26 ha puesto en evidencia diferencias importantes entre los modelos con Exynos 2600 y Snapdragon 8 Elite Gen 5, a pesar de compartir el mismo hardware en pantalla, batería y diseño. La única variable relevante es el chip, y los resultados muestran una diferencia clara en autonomía bajo Galaxy S26 con Exynos 2600 pierde 2 h 38 min frente al modelo con Exynos 2600 en prueba de batería

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Exynos 2600 muestra consumos de hasta 30W y queda por detrás del Snapdragon 8 Elite Gen 5 en eficiencia

El Samsung Exynos 2600 lidera Basemark Ray Tracing gracias a la GPU Xclipse 960

Samsung ha estrenado el nuevo Exynos 2600, su primer chip fabricado en 2 nm con arquitectura GAA, una tecnología que sobre el papel debía mejorar tanto el rendimiento como la eficiencia frente a procesos anteriores. Sin embargo, los primeros benchmarks independientes muestran un comportamiento menos favorable, con consumos elevados que ponen en duda el salto Exynos 2600 muestra consumos de hasta 30W y queda por detrás del Snapdragon 8 Elite Gen 5 en eficiencia

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Samsung prepara SSD E3.S de 256 TB con apilado NAND de 32 dies para centros de datos en 2027

Samsung prepara SSD E3.S de 256 TB con apilado NAND de 32 dies para centros de datos en 2027

Samsung ha adelantado su próxima evolución en almacenamiento empresarial con el desarrollo de un SSD E3.S de 256 TB, previsto para 2027. Este salto técnico se apoya en una mejora clave en el empaquetado de memoria NAND, pasando de configuraciones de 16 dies a 32 dies apilados, lo que permite duplicar la densidad por chip Samsung prepara SSD E3.S de 256 TB con apilado NAND de 32 dies para centros de datos en 2027

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