Saimemory HB3DM promete 5,3 TB/s por módulo y supera en ancho de banda a la memoria HBM4
Intel y SoftBank, a través de su filial conjunta Saimemory, presentarán en VLSI 2026 su nueva tecnología de memoria HB3DM, basada en Z-Angle Memory (ZAM). El concepto hace referencia al apilamiento vertical de dies en el eje Z, similar a HBM convencional, pero con resultados técnicos superiores en ancho de banda. La presentación llega cuando … Saimemory HB3DM promete 5,3 TB/s por módulo y supera en ancho de banda a la memoria HBM4









