Investigadores del MIT desarrollan transistores sobre obleas de silicio
Investigadores del MIT han desarrollado una tecnología innovadora que permite el desarrollo de materiales de dicalcogenuro de metales de transición (TMD) en 2D directamente sobre chips de silicio totalmente fabricados, lo que posibilita integraciones más densas. Los métodos convencionales requieren temperaturas de unos 600°C, que pueden dañar los transistores y circuitos de silicio, ya que … Investigadores del MIT desarrollan transistores sobre obleas de silicio









