DNP logra una resolución de patrón fina en las fotomáscaras litográficas EUV para la generación de más de 2 nm
DNP ha logrado con éxito la resolución de patrón fina necesaria para las fotomáscaras de semiconductores lógicos para una generación de más de 2 nm (nm: 10-9 metros) que admiten la litografía ultravioleta extrema (EUV), un proceso puntero en la fabricación de semiconductores. DNP también ha completado la evaluación de criterios para las fotomáscaras compatibles … DNP logra una resolución de patrón fina en las fotomáscaras litográficas EUV para la generación de más de 2 nm









