Qualcomm presentó recientemente los Snapdragon X2 Elite Extreme y Snapdragon X2 Elite como sus primeros SoC de 3 nm para portátiles, con el objetivo de elevar el listón del rendimiento en equipos Windows sobre ARM. En el anuncio oficial, la compañía destacó un diseño de hasta 18 núcleos capaz de alcanzar frecuencias de hasta 5,0 GHz en uno o dos núcleos, pero evitó detallar el nodo de fabricación utilizado por TSMC.
Esa incógnita se ha despejado ahora gracias a un nuevo informe técnico, que apunta a que el Snapdragon X2 Elite Extreme está fabricado utilizando el proceso de 3 nm N3X, una variante especialmente orientada a alto rendimiento, aunque con compromisos claros en eficiencia energética frente a otros nodos más equilibrados.
N3X: máximo rendimiento antes que eficiencia
El nodo 3 nm N3X de TSMC no está pensado para productos de bajo consumo, sino para silicio de alto rendimiento, donde el objetivo principal es exprimir frecuencias y potencia bruta. Según el informe, este proceso ofrece un incremento aproximado del 5% en rendimiento frente al 3 nm N3P, a costa de mayor voltaje, menor densidad y peor eficiencia.
En el caso del Snapdragon X2 Elite Extreme, Qualcomm habría aceptado conscientemente este intercambio. El chip está diseñado para operar por encima de 1,0 V, lo que facilita clocks más elevados, pero también explica por qué su consumo puede superar los 100W en escenarios sin restricciones térmicas, o mantenerse en torno a 40W sostenidos en chasis concretos de portátil.
Arquitectura SiP y ancho de banda como prioridad
Otro de los pilares técnicos del Snapdragon X2 Elite Extreme es el uso de un encapsulado SiP (System-in-Package). Este enfoque integra memoria y otros componentes clave muy próximos al silicio de CPU, reduciendo latencias y aumentando el ancho de banda efectivo, una filosofía comparable a la memoria unificada de Apple.
En su configuración más ambiciosa, el SoC incorpora un bus de memoria de 192 bits, soporte para hasta 128 GB de RAM y velocidades de 9.523 MT/s, lo que se traduce en un ancho de banda máximo de 228 GB/s. Esta cifra supera a la del M5, aunque queda por debajo de los 273 GB/s del M4 Pro, situando al chip de Qualcomm en una posición intermedia dentro del segmento de alto rendimiento.
Más de 31.000 millones de transistores, pero con límites claros
El informe señala que el Snapdragon X2 Elite Extreme integra más de 31.000 millones de transistores, una cifra propia de SoC de clase HPC. A nivel conceptual, representa el mayor esfuerzo de Qualcomm hasta la fecha por competir directamente en el terreno del rendimiento máximo para portátiles.
Sin embargo, los primeros benchmarks no han sido tan favorables como cabría esperar. En Cinebench 2024, el chip sigue quedando por detrás del Apple M4 Max tanto en single-core como en multi-core, pese a su elevado consumo energético. En el apartado gráfico, la diferencia es aún más notable, con el M4 Pro siendo hasta un 45% más rápido en pruebas sintéticas como 3DMark Steel Nomad Light Unlimited y 3DMark Solar Bay Unlimited.
Una apuesta arriesgada que aún debe demostrar su valor
El movimiento de Qualcomm hacia el nodo N3X marca un hito: es la primera vez que un chip comercial se aleja del 3 nm N3P para priorizar rendimiento puro. Sin embargo, por ahora, esta estrategia no ha dado los resultados esperados frente a la competencia directa de Apple, especialmente teniendo en cuenta el consumo y las cifras obtenidas en pruebas iniciales.
Eso sí, el análisis disponible todavía es limitado y no refleja todos los escenarios de uso real. El Snapdragon X2 Elite Extreme apunta alto sobre el papel, pero necesitará demostrar con más datos y equipos finales que su enfoque de rendimiento sin concesiones puede traducirse en una ventaja tangible en el mercado de portátiles de próxima generación.
Vía: Wccftech
