SK hynix y Sandisk han presentado en FMS 2026 la primera especificación abierta de High Bandwidth Flash o HBF, una nueva categoría de almacenamiento basada en NAND que puede alcanzar 512 GB de capacidad y hasta 3 TB/s de ancho de banda.
La especificación se publicará mediante el Open Compute Project, utilizando la interfaz estándar UCIe para conectarse con CPU, GPU y otros procesadores. HBF pretende ocupar el espacio existente entre la memoria HBM de alto rendimiento y los SSD NVMe convencionales de gran capacidad.
HBF utilizará pilas NAND de ocho o dieciséis capas
La primera especificación contempla dos configuraciones formadas por pilas NAND de ocho y dieciséis dies. Dependiendo de la densidad empleada, cada conjunto podrá proporcionar hasta 512 GB, una capacidad muy superior a la disponible actualmente mediante una sola pila HBM.
El estándar dividirá el rendimiento en tres categorías diferentes, permitiendo adaptar la memoria a distintos aceleradores y cargas de trabajo. Los anchos de banda previstos abarcan aproximadamente desde 0,4 hasta 3 TB/s, acercando el almacenamiento NAND al procesador sin exigir que todas las aplicaciones utilicen la variante más rápida.
La especificación también define características eléctricas, interfaces de conexión, directrices de fiabilidad, requisitos de encapsulado y recomendaciones para las operaciones de entrada y salida mediante software. La intención es evitar que cada fabricante desarrolle una solución propietaria incompatible con procesadores o controladores externos.
UCIe permitirá conectarla con diferentes procesadores
HBF empleará Universal Chiplet Interconnect Express o UCIe, un estándar abierto diseñado para comunicar chiplets de diferentes fabricantes dentro de un mismo encapsulado. La elección permitirá integrar estas pilas NAND junto a CPU, GPU, aceleradores de IA y otros procesadores especializados.
El uso de UCIe también podría facilitar que varios proveedores produzcan controladores, chips base y aceleradores compatibles con una misma memoria HBF. La especificación no dependerá exclusivamente de SK hynix o Sandisk, favoreciendo la creación de un ecosistema similar al desarrollado alrededor de HBM.
HBF no sustituirá a la memoria HBM
Aunque SK hynix describe transferencias comparables a las de algunas soluciones HBM, la memoria NAND continúa teniendo una latencia superior a la DRAM. HBF no está diseñada para reemplazar directamente a HBM dentro de operaciones que necesitan acceso inmediato y constantes intercambios de datos con las unidades de cálculo.
La memoria HBM continuará alojando los datos, pesos y activaciones utilizados de forma más frecuente por el acelerador. HBF funcionará como una capa adicional de gran capacidad, manteniendo cerca del procesador información que actualmente debe almacenarse en RAM convencional o SSD conectados mediante PCIe.
Esta arquitectura podría resultar especialmente útil para modelos de inteligencia artificial de gran tamaño, bases de datos vectoriales y cachés KV utilizadas durante la inferencia. Al evitar transferencias constantes desde almacenamiento más lejano, el sistema podría reducir cuellos de botella y mantener conjuntos de datos mucho mayores cerca de la GPU.
La tecnología conservará además las limitaciones de resistencia propias de la memoria NAND, cuyo número de escrituras es finito. Su utilidad dependerá de que los controladores gestionen correctamente el desgaste, la corrección de errores, la distribución de escrituras y la persistencia de los datos.
Google y Tenstorrent participan en la iniciativa
Google y Tenstorrent ya participan en el consorcio formado alrededor de HBF, proporcionando una primera señal de interés procedente de fabricantes de sistemas y procesadores. Google también estará presente junto a SK hynix y Sandisk en una mesa redonda dedicada a superar los límites actuales de la arquitectura de memoria.
Su implicación no confirma todavía productos comerciales concretos, pero demuestra que la especificación no está limitada únicamente a los fabricantes de NAND. La adopción dependerá de que los diseñadores de aceleradores incorporen controladores HBF y reorganicen sus sistemas para aprovechar una arquitectura de memoria por niveles.
SK hynix muestra su NAND 4D de 375 capas
Durante FMS 2026, SK hynix también ha mostrado por primera vez su memoria V10 4D NAND de 375 capas, actualmente en desarrollo. La compañía afirma que esta décima generación ofrece 2,5 veces más rendimiento por vatio que su tecnología anterior.
La cifra representa una comparación interna proporcionada por el fabricante y deberá comprobarse dentro de unidades completas. El rendimiento de un SSD no depende únicamente de la memoria NAND, sino también de su controlador, firmware, número de canales, memoria caché, refrigeración y configuración de capacidad.
SK hynix pretende comenzar a fabricar SSD empresariales de alto rendimiento y gran capacidad basados en esta NAND a comienzos de 2027. Los primeros productos estarán orientados hacia centros de datos e infraestructura de inteligencia artificial, donde la eficiencia energética y la densidad resultan especialmente importantes.
HBF podría transformar el mercado de la memoria NAND
Una plataforma estandarizada podría convertir HBF en el equivalente NAND del ecosistema construido alrededor de HBM, creando un nuevo destino para las tecnologías de apilamiento, encapsulado avanzado y controladores de alta velocidad. También permitiría aumentar la memoria próxima al acelerador sin depender exclusivamente de costosas pilas DRAM.
El impacto sobre los SSD empresariales y de consumo dependerá del volumen alcanzado. Si HBF termina absorbiendo una parte significativa de la NAND más avanzada y rentable, los fabricantes podrían priorizar estos productos frente a unidades convencionales, aunque todavía no existe un calendario comercial que permita confirmar cambios sobre precios o disponibilidad.
La primera especificación supone únicamente el comienzo del proceso. SK hynix y Sandisk deberán fabricar muestras, validar controladores y conseguir que los diseñadores de procesadores adopten UCIe y HBF dentro de sus encapsulados antes de que esta nueva capa de memoria pueda desplegarse ampliamente.
Vía: Guru3D
