SK hynix podría incorporar antes de 2028 únicamente una sexta parte de la nueva capacidad de memoria contemplada inicialmente, según una estimación de la cadena de suministro recogida junto a un análisis de Bank of America. El dato cuestiona que los grandes proyectos anunciados por Corea del Sur puedan aliviar rápidamente la presión sobre DRAM y HBM.
La lectura importante es que la ampliación de capacidad será mucho más gradual que los anuncios políticos e industriales. Las nuevas fábricas necesitarán años de construcción, instalación y validación, mientras el crecimiento de la inteligencia artificial continúa absorbiendo memoria avanzada y recursos de fabricación.
La cifra de una sexta parte todavía es una estimación
El dato no procede de una comunicación oficial de SK hynix. Una fuente taiwanesa de la industria estima que la compañía activaría hasta 2028 solo una sexta parte de la ampliación prevista inicialmente, una valoración difundida a partir de un análisis reciente de Bank of America.
Esto no significa que SK hynix vaya a operar con una sexta parte de su capacidad actual. La estimación afecta únicamente al incremento adicional que esperaba incorporar durante los próximos años, mientras sus fábricas ya operativas continuarán produciendo DRAM y HBM.
La ausencia del informe completo también obliga a mantener cautela. No conocemos el volumen absoluto de obleas utilizado como referencia ni qué proyectos estaban incluidos en el plan original, por lo que la fracción permite valorar el retraso, pero no calcular directamente cuántos chips dejarán de fabricarse.
La capacidad operativa crecería menos de un 10% anual
Bank of America calcula que la capacidad surcoreana de obleas de memoria aumentaría a un ritmo neto inferior al 10% anual. El cálculo descuenta la producción perdida cuando las fábricas antiguas cierran líneas o detienen equipos para adoptar procesos de fabricación más avanzados.
La diferencia entre capacidad bruta y neta resulta fundamental. Una nueva línea puede añadir miles de obleas mensuales, pero parte de esa producción simplemente sustituye a instalaciones anteriores, de modo que la ampliación anunciada no se convierte íntegramente en oferta adicional para el mercado.
También conviene separar la entrada de obleas de la cantidad final de memoria. Los procesos más avanzados permiten fabricar más bits dentro de cada oblea, aunque las primeras etapas suelen necesitar ajustes antes de alcanzar un rendimiento estable de matrices funcionales y económicamente aprovechables.
Por eso, Corea del Sur podría aumentar la cantidad de memoria producida más rápidamente que el número de obleas procesadas. Aun así, un crecimiento operativo inferior al 10% anual dificulta alcanzar el objetivo gubernamental de duplicar la producción nacional de DRAM dentro de cinco años.
Las nuevas fábricas necesitarían casi una década
Las estimaciones industriales hablan de unos cinco años para completar estructuras, cimentaciones e infraestructura básica en los nuevos complejos del suroeste de Corea del Sur. Después serían necesarios otros tres o cuatro años para preparar las salas limpias e instalar el equipamiento.
Una fábrica de memoria no comienza a producir cuando termina el edificio. Antes necesita sistemas de agua ultrapura, gases, productos químicos, refrigeración, suministro eléctrico estable y herramientas capaces de controlar partículas y variaciones medidas en escalas extremadamente pequeñas.
La instalación de los equipos tampoco representa el final del proceso. Cada línea debe calibrarse, ejecutar obleas de prueba y aumentar progresivamente su rendimiento antes de entrar en fabricación masiva, por lo que el ecosistema completo podría necesitar más de diez años para alcanzar toda su capacidad.
Samsung y SK hynix construirán nuevos centros dentro del proyecto surcoreano valorado en 800 billones de wones, además de acelerar sus instalaciones de Yongin. Sin embargo, las primeras líneas operativas llegarán mucho antes que la capacidad máxima de los complejos, que se desplegará por fases.
Yongin y M15X aportarán producción antes
Los proyectos más cercanos de SK hynix son M15X, situado en Cheongju, y su primera gran fábrica dentro del clúster de Yongin. M15X comenzaría con unas 40.000 obleas mensuales durante la segunda mitad de 2026, ampliándose hasta aproximadamente 80.000 durante 2027.
La primera planta de Yongin incorporaría capacidad de forma progresiva mediante seis salas limpias. El plan contempla alrededor de 60.000 obleas mensuales adicionales por cada fase, hasta alcanzar unas 360.000 cuando las seis estén completamente equipadas.
Combinando Yongin, M15X y las instalaciones ya operativas, SK hynix pretende acercarse a un millón de obleas DRAM mensuales entre 2030 y 2031. El problema es que buena parte de ese crecimiento llegará después del periodo en el que el mercado espera la mayor tensión de suministro.
El propio consejero delegado de SK hynix, Kwak Noh-jung, ha advertido que 2027 podría convertirse en el peor año para el suministro mundial de memoria y que la demanda podría continuar por encima de la capacidad incluso después de 2030.
HBM absorbe una parte creciente de la inversión
La expansión no estará destinada exclusivamente a DDR4 o DDR5. SK hynix concentra gran parte de sus inversiones en HBM para aceleradores de inteligencia artificial, un producto más complejo y rentable que la memoria convencional utilizada por ordenadores y dispositivos de consumo.
HBM se fabrica apilando varias matrices DRAM y conectándolas mediante interconexiones verticales. Además de obleas, necesita capacidad de empaquetado avanzado, unión de chips y validación térmica, por lo que aumentar la producción frontal no elimina automáticamente todos los cuellos de botella.
Los fabricantes deben repartir equipos, personal e inversiones entre HBM, DDR5 para servidores, LPDDR para dispositivos móviles y memorias convencionales. Cuando la prioridad pasa a los productos de mayor margen, la nueva capacidad puede no traducirse en una mejora equivalente para DDR4 o módulos DDR5 de consumo.
Este desplazamiento no implica necesariamente que las compañías estén reduciendo deliberadamente toda la memoria tradicional. Refleja también que una oblea destinada a HBM genera más ingresos y atiende contratos estratégicos de centros de datos, incentivando su fabricación frente a formatos menos rentables.
Los precios no bajarían rápidamente por las nuevas fábricas
La expectativa de que los grandes complejos industriales provoquen una caída inmediata del precio de la RAM parece poco realista. Antes de 2028 llegará capacidad adicional, pero su entrada será escalonada y coincidirá con un crecimiento todavía elevado de la demanda de IA.
DDR4 puede sufrir una presión especial porque los fabricantes están actualizando o cerrando líneas maduras mientras millones de sistemas continúan utilizando esta memoria. Una reducción demasiado rápida de esas instalaciones puede mantener una oferta ajustada incluso cuando la tecnología ya no pertenece a la última generación.
DDR5 tampoco queda completamente protegida. Servidores, estaciones de trabajo y ordenadores de alto rendimiento instalan cantidades cada vez mayores, absorbiendo parte de las mejoras obtenidas mediante mayor densidad por chip y procesos de fabricación más avanzados.
Para el consumidor, esto puede traducirse en módulos más caros o en equipos cuya configuración básica vuelve a limitarse para contener costes. La nueva capacidad ayudará, pero no parece suficiente para devolver los precios rápidamente a los niveles anteriores a la actual presión de demanda.
La demanda colectiva debe mantenerse separada del problema industrial
Samsung, SK hynix y Micron fueron demandadas el 25 de junio ante un tribunal federal de California. Los demandantes acusan a las tres compañías de coordinar la oferta de DRAM y utilizar el cambio hacia HBM como argumento para reducir la producción de DDR3 y DDR4.
Los retrasos en las nuevas fábricas pueden reforzar la idea de que la oferta seguirá limitada, pero no demuestran por sí solos la existencia de una coordinación ilegal. Construcción, disponibilidad de equipos, rendimiento de fabricación y demanda de inteligencia artificial ofrecen explicaciones industriales independientes.
Para demostrar una fijación de precios no basta con que los tres fabricantes hayan priorizado HBM. Empresas competidoras pueden tomar decisiones parecidas ante las mismas condiciones económicas, especialmente cuando un producto ofrece mayores márgenes y contratos de suministro más prolongados.
La cifra de una sexta parte tampoco prueba que SK hynix esté restringiendo deliberadamente su producción. Únicamente indica que la ampliación podría avanzar mucho más despacio de lo previsto, dejando a los tribunales la valoración de las acusaciones y de las posibles pruebas de coordinación.
La expansión no resolverá la escasez a corto plazo
La conclusión más relevante es que la oferta de memoria no crecerá al ritmo sugerido por los grandes anuncios de inversión. M15X y Yongin aportarán producción antes que los nuevos centros del suroeste, pero sus líneas entrarán gradualmente y deberán cubrir varios mercados simultáneamente.
La estimación de una sexta parte debe permanecer claramente atribuida y no tratarse como una previsión oficial de SK hynix. Aun así, encaja con una limitación difícil de evitar: una fábrica de memoria necesita muchos más años para construirse que un centro de datos para comenzar a demandar nuevos aceleradores.
Salvo que la inversión en inteligencia artificial se ralentice bruscamente, DDR4, DDR5 y HBM seguirán compitiendo por capacidad durante los próximos años. Las nuevas fábricas terminarán ampliando la oferta, pero su impacto más importante probablemente llegará después de 2028 y se extenderá hacia la próxima década.
Vía: Wccftech
