SK Hynix ha revelado que es la primera compañía en desarrollar un producto HBM3 de 12 capas con 24 GB de capacidad de memoria, lo que la convierte en la mayor del sector. Actualmente, el análisis de rendimiento de estas muestras corre a cargo de los clientes.
HBM, o High Bandwidth Memory (memoria de alto ancho de banda), es una solución de memoria de gran valor y alto rendimiento que apila múltiples chips DRAM de forma vertical para mejorar significativamente la velocidad de procesamiento de datos con respecto a las ofertas DRAM tradicionales. HBM3 representa la cuarta generación de esta línea de productos, tras HBM, HBM2 y HBM2E.
SK Hynix afirma que ha desarrollado con éxito el producto de 24 GB de capacidad, incrementando la capacidad de memoria en un 50% en comparación con su predecesor. Dicho logro se produce después de que la compañía iniciara la producción en masa de la primera HBM3 del mundo en junio del pasado año.
En respuesta a la creciente demanda de productos de memoria de alta calidad, impulsada por el sector de los chatbot impulsados mediante IA, SK Hynix tiene previsto introducir estos nuevos productos en el mercado en el segundo semestre del presente año.
Para mejorar la eficiencia del proceso y la estabilidad del rendimiento en su último producto, los ingenieros de SK Hynix emplearon la tecnología Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF). Además, la adopción de la tecnología TSV (Through Silicon Via) ha permitido reducir en un 40% el grosor de los chips individuales de DRAM, lo que da como resultado un apilamiento de la misma altura que el producto de 16 GB.
Vía: Guru3D
