Samsung ha anunciado que ha comenzado la producción de la octava generación de V-NAND TCL de 1 TB con la mayor densidad de bits de la industria. Con 1 TB, la nueva V-NAND también presenta la mayor capacidad de almacenamiento hasta la fecha, posibilitando un mayor espacio de almacenamiento en los sistemas de servidores empresariales de última generación a nivel mundial.
Samsung ha logrado alcanzar la mayor densidad de bits del sector gracias a una mejora significativa de la productividad de bits por oblea. Basada en la interfaz Toggle DDR 5.0 -el más reciente estándar de NAND flash-, la V-NAND de octava generación de Samsung presenta una velocidad de entrada y salida (E/S) de hasta 2,4 Gbps, lo que representa una mejora de 1,2x respecto a la anterior generación. Esto permitirá que la nueva V-NAND se ajuste a los requisitos de rendimiento de PCIe 4.0 y, posteriormente, de PCIe 5.0.
«A medida que la demanda del mercado de almacenamiento se hace más densa y de mayor capacidad, Samsung ha adoptado su avanzada tecnología de escalado 3D para reducir la superficie y la altura, evitando al mismo tiempo las interferencias entre celdas que normalmente se producen al reducir la escala», dijo SungHoi Hur, Vicepresidente Ejecutivo de Productos y Tecnología Flash de Samsung Electronics. «Nuestra V-NAND de octava generación ayudará a satisfacer el rápido crecimiento de la demanda del mercado y nos posicionará mejor para ofrecer productos y soluciones más diferenciados, que estarán en la base de las futuras innovaciones de almacenamiento.»
Se espera que la V-NAND de octava generación sea la piedra angular de las configuraciones de almacenamiento que ayuden a ampliar la capacidad de almacenamiento en los servidores empresariales de nueva generación, además de extender su uso al mercado del automóvil, donde la fiabilidad resulta fundamental.
Vía: Guru3D
