Samsung ha presentado un logro sin precedentes: la primera memoria DRAM DDR5 de 32 Gb del mundo con tecnología de proceso de 12 nm. Esto supone el inicio de la producción en masa de DRAM DDR5 de 16 Gb de clase 12 nm en mayo de 2023.
SangJoon Hwang, Vicepresidente Ejecutivo de Producto y Tecnología DRAM de Samsung Electronics, subrayó: «Nuestra DRAM de 32 Gb de clase 12 nm nos posiciona para ofrecer módulos DRAM de hasta 1 TB, alineándose perfectamente con la creciente demanda de DRAM de alta capacidad en la era de la IA y los big data. Persistiremos en el avance de las soluciones DRAM a través de tecnologías de proceso y diseño únicas para redefinir los límites de la tecnología de memoria.»
La trayectoria exitosa de Samsung en el campo de la tecnología de memoria comenzó con su primera DRAM de 64 Kb en 1983, marcando un extraordinario viaje que culminó con un incremento de 500.000 veces en la capacidad de la DRAM a lo largo de cuatro décadas.
Gracias a la integración de procesos y tecnologías de vanguardia que mejoran la densidad de integración y la optimización del diseño, la última oferta de memoria de Samsung presenta la mayor capacidad para un solo chip DRAM dentro de la industria. Esta innovación proporciona el doble de capacidad que la DRAM DDR5 de 16 Gb en las mismas dimensiones de encapsulado.
A diferencia de los procesos TSV necesarios hasta la fecha para la fabricación de módulos DRAM DDR5 de 128 GB con DRAM de 16 Gb, la DRAM de 32 Gb de Samsung hace innecesario el proceso TSV. Además, presenta un consumo energético aproximadamente un 10% inferior al de los módulos de 128 GB equipados con DRAM de 16 Gb.
Esta innovadora característica convierte al producto en una solución óptima para las empresas centradas en la eficiencia energética, como los centros de datos. Con la introducción de la DRAM DDR5 de 32 Gb de clase 12 nm, Samsung se dispone a ampliar su gama de DRAM de alta capacidad para adaptarse a las necesidades actuales y futuras del sector informático y de TI.
La compañía subrayará su dominio en el mercado de DRAM de próxima generación suministrando la DRAM de 32 Gb de 12 nm a centros de datos y clientes que requieren de aplicaciones como la IA y la informática de vanguardia. El producto también está posicionado para desempeñar un papel fundamental en las continuas asociaciones de Samsung con los principales integrantes de la industria.
La producción en masa de la nueva DRAM DDR5 de 32 Gb y 12 nm, cuyo inicio está previsto para finales del presente año, promete ofrecer un nuevo horizonte de soluciones de memoria de alta capacidad.
Vía: Guru3D
