Samsung estaría preparando una expansión considerable de su producción de HBM4 y HBM4E durante 2027, impulsada por la creciente demanda de memoria para aceleradores de inteligencia artificial. Según fuentes de la industria citadas por Seoul Economic Daily, la capacidad destinada a estas generaciones debería como mínimo duplicarse respecto a 2026.
La principal señal procede de los glass carriers empleados durante la fabricación. Samsung prevé elevar su volumen mensual desde unas 20.000 unidades en 2026 hasta 50.000 en 2027, un crecimiento de 2,5 veces que sirve como indicador indirecto de cuánto pretende ampliar la producción de sus memorias más avanzadas.
Los glass carriers permiten estimar cuánto quiere crecer Samsung
La fabricación de HBM requiere adelgazar considerablemente las obleas DRAM antes de apilar los diferentes dies. Ese proceso aumenta el riesgo de deformación y rotura, por lo que se utiliza un soporte temporal de vidrio que estabiliza la oblea durante las etapas previas al empaquetado.
Su importancia aumenta conforme crece el número de capas del stack. En HBM4 y HBM4E, mantener planas obleas extremadamente delgadas resulta esencial para conservar las tolerancias necesarias durante el ensamblaje, de modo que el consumo de estos soportes ofrece una referencia útil sobre la actividad fabril.
Eso no significa, sin embargo, que 50.000 glass carriers equivalgan automáticamente a 50.000 obleas HBM terminadas cada mes. Los soportes pueden reutilizarse y la producción efectiva depende, además, de rendimientos, ciclos de proceso y mezcla de productos, por lo que las propias fuentes hablan de una capacidad que al menos se duplicaría, no necesariamente de un aumento exacto de 2,5 veces.
La producción total de HBM subiría hasta 250.000 obleas mensuales
El crecimiento tampoco quedaría limitado a las generaciones más nuevas. Las estimaciones de la industria sitúan actualmente la producción total de Samsung alrededor de 180.000 obleas HBM al mes, incluyendo HBM3, HBM3E, HBM4 y sus posteriores evoluciones.
Para 2027, esa cifra podría alcanzar aproximadamente 250.000 obleas mensuales, lo que representa un incremento cercano al 39%.
Más importante todavía sería el cambio dentro de esa producción. HBM4 y HBM4E representarían alrededor del 80% de la capacidad total durante 2027, frente a una participación mucho menor actualmente. Samsung estaría, por tanto, utilizando la ampliación para desplazar progresivamente generaciones anteriores en lugar de repartir el crecimiento uniformemente entre todas ellas.
Ese movimiento tiene una consecuencia directa: la mayor parte de la capacidad adicional terminaría concentrándose en los productos de mayor densidad, ancho de banda y valor añadido, precisamente los que demandarán las próximas generaciones de aceleradores para IA.
Samsung ya produce HBM4 y prepara el salto a HBM4E
Samsung inició en febrero la producción comercial de HBM4 mediante DRAM 1c de sexta generación de 10 nm y un base die lógico fabricado a 4 nm, pasando de las muestras a una fase de producción destinada a clientes.
HBM4E representa el siguiente paso y ya habría entrado en fase de muestreo durante 2026. El incremento previsto para 2027 encaja con el momento en que estas nuevas memorias deberían comenzar a ganar volumen, una vez completados los procesos de validación correspondientes.
La transición importa porque Samsung no necesita únicamente fabricar más DRAM. Cada generación de HBM exige coordinar producción de memoria, base dies lógicos y empaquetado avanzado, creando varios posibles cuellos de botella que deben crecer al mismo ritmo para convertir obleas en stacks utilizables.
HBM4 también consume una parte importante de la capacidad de 4 nm
El cambio respecto a generaciones anteriores está precisamente en el base die. HBM4 utiliza una matriz lógica considerablemente más compleja, y Samsung recurre a su proceso SF4 de 4 nm para fabricar este componente.
Fuentes de la industria apuntan a que aproximadamente la mitad de la capacidad SF4 de Samsung estaría dedicada actualmente a base dies para HBM4, una proporción excepcionalmente elevada para un producto de memoria. La cifra no ha sido confirmada oficialmente por la compañía y debe tratarse como una estimación de la cadena de suministro.
Esto explica por qué ampliar HBM4 no consiste únicamente en reservar más líneas DRAM. La producción compite también por capacidad Foundry avanzada, de modo que el crecimiento de la memoria para IA puede afectar a cómo Samsung distribuye recursos entre otros productos fabricados en 4 nm.
La integración de lógica avanzada dentro del propio stack convierte así HBM4 en un producto mucho más dependiente de varias divisiones de fabricación simultáneamente, elevando tanto su complejidad como el valor industrial de cada unidad producida.
Samsung ha duplicado prácticamente su cuota de HBM en un año
El aumento de capacidad llega además después de una recuperación importante en el mercado. Samsung habría pasado de aproximadamente un 15% de cuota durante el segundo trimestre de 2025 a alrededor del 33% en el segundo trimestre de 2026, duplicando prácticamente su participación en un año.
SK hynix continuaría por delante, por lo que Samsung todavía no lidera el mercado, pero reducir esa diferencia mientras comienza la transición hacia HBM4 modifica considerablemente su posición competitiva.
Aquí es donde la ampliación para 2027 adquiere especial relevancia. Aumentar capacidad justo cuando el mercado cambia de generación puede permitir a Samsung capturar pedidos que anteriormente se concentraban principalmente en SK hynix, siempre que mantenga rendimientos suficientes y supere las validaciones exigidas por los grandes clientes.
No basta, por tanto, con disponer de más obleas. En HBM, la capacidad útil depende de producir stacks complejos con rendimientos suficientemente altos y dentro de los requisitos térmicos, eléctricos y de fiabilidad de cada acelerador.
Samsung está reorganizando su capacidad alrededor de HBM4
El salto desde unas 180.000 hasta 250.000 obleas HBM mensuales ya representaría una expansión importante por sí mismo, pero el cambio realmente significativo estaría en que aproximadamente el 80% de esa capacidad pase a concentrarse en HBM4 y HBM4E.
Eso supone que Samsung no estaría simplemente respondiendo a un crecimiento general de la memoria. La compañía estaría desplazando deliberadamente recursos hacia las generaciones utilizadas por los aceleradores de IA más avanzados, incluso cuando hacerlo requiere consumir capacidad DRAM, Foundry y empaquetado simultáneamente.
Si las previsiones de la cadena de suministro se cumplen, 2027 marcará así un cambio de escala para Samsung: más HBM total, una producción dominada por HBM4/HBM4E y una posición competitiva mucho más fuerte que la que mantenía apenas un año antes.
Vía: TechPowerUp
