El gigante surcoreano Samsung Foundry ha confirmado una nueva inversión destinada a modernizar su línea de fabricación con equipos de litografía EUV de alta apertura numérica (High-NA). El acuerdo contempla la compra de dos máquinas ASML Twinscan EXE:5200B, las más avanzadas de la industria, por un importe total de 773 millones USD (≈ 667,7 M €). Cada unidad cuesta en torno a 380 millones USD (≈ 328,3 M €).
Alta precisión para nodos de próxima generación
Las máquinas High-NA EUV son capaces de imprimir transistores de hasta 8 nm de tamaño real, mucho más pequeños que los de los actuales nodos de 2 nm, que presentan un pitch de compuerta superior a 40 nm y un pitch metálico de 20 nm. Estas cifras demuestran que la denominación comercial de los nodos no refleja necesariamente su tamaño físico, sino una métrica de densidad relativa.
Cada escáner ASML EXE:5200B puede procesar más de 175 obleas por hora, y bajo condiciones óptimas alcanzar decenas de miles de obleas de 300 mm al mes. Samsung planea instalar la primera unidad antes de finalizar el año, y la segunda a principios de 2026, reforzando así su capacidad de producción para chips lógicos y SRAM.
Competencia directa con Intel y SK Hynix
ASML prevé entregar 56 sistemas Low-NA EUV antes de 2027, repartidos entre Intel (5 unidades), Samsung (7) y SK Hynix (hasta 20), además de 10 sistemas High-NA EUV, cada uno valorado en unos 380 M USD (≈ 328,3 M €).
Intel ya utiliza estas herramientas para su nodo 14A, mientras que SK Hynix planea incorporarlas a sus operaciones de memoria HBM y almacenamiento avanzado. Según los medios surcoreanos, SK Hynix instalará 20 unidades Low-NA EUV en los próximos dos años, mientras Samsung continúa invirtiendo agresivamente para mantener la competitividad.
Resultados de eficiencia y reducción de tiempos
Los primeros resultados demuestran mejoras notables en la producción. Intel ha reportado el procesamiento de más de 30 000 obleas en un solo trimestre usando exposición High-NA EUV, lo que le permitió reducir de 40 a menos de 10 los pasos necesarios para una capa específica, acortando drásticamente los tiempos de ciclo.
Por su parte, Samsung ha documentado una reducción del 60% en el tiempo de ciclo en una de sus aplicaciones internas, validando así los beneficios prácticos de la litografía High-NA. Con este avance, la compañía refuerza su posición como uno de los tres actores principales en la carrera por los chips más avanzados del mundo, junto a TSMC e Intel.
Vía: TechPowerUp
