Samsung consigue rendimientos del 60/70% para su nodo de 3 nm, un paso adelante para la compañía que quiere recuperar la confianza. Como todos sabemos, Samsung Electronics es uno de los máximos competidores de TSMC en la fabricación de microchips de 3nm. De hecho, después de casi una década de nodos basados en FinFet, la compañía ha comenzado a trabajar en el que será su primer nodo de fundición de semiconductores implementando la tecnología GAA-FET.
Si todo va bien, y esto se mantiene, el SF3, un nodo GAA-FET de 3nm, comenzará su producción en masa a finales de este mismo año. Según la fuente, Samsung afirma que el rendimiento de sus obleas ha alcanzado el rango de 60/70% en las fases de desarrollo del nodo. Este dato es un hito de vital importancia para la compañía, ya que supone el punto de partida para atraer clientes. Hay que tener en cuenta que los pedidos de obleas se realizan teniendo en cuenta el rendimiento, en primer lugar, y el coste por oblea en segundo.
Optimismo en Samsung con la fabricación por los rendimientos de nodos de 3nm
Después de un año difícil sobre sus números de rendimiento de fabricación, Samsung está tratando de recuperar la confianza entre los diseñadores de chips. Algo que supondría mejorar sus negoció y alcanzar mayores cifras de clientes. La compañía también ha declarado que, el 2023 y 2024 estarán dominados por los nodos de 3 nm (SF3 3GAP y SF3P 3GAP+).
Aunque aún no han comenzado la producción, y aún queda mucho por hacer, la compañía también ha querido hablar del futuro. Según sus planes, Samsung comenzará a presentar sus nuevos nodos de 2 nm entre el 2025 y el 2026. Unos planes muy ambiciosos sí tenemos en cuenta la reciente inestabilidad del mercado. Pero la empresa se muestra muy optimista, ya que, para su nodo de 3 nm ya tiene clientes. Entre ellos se encuentran un diseñador de AP móvil (procesador de aplicaciones) y un diseñador de HPC del que se desconoce el nombre.
Vía: TechPowerUp
