La compañía está preparada para dar otro salto cualitativo, preparándose para producir en masa circuitos integrados DDR5 de 32 Gb y módulos de memoria de alta capacidad en la primera mitad de 2024.
Los circuitos integrados DDR5 de 32 Gb de Micron se producirán utilizando la avanzada tecnología de fabricación 1β (1-beta), que no depende de la litografía ultravioleta extrema.
Aunque aún no se han revelado las velocidades de transferencia de datos específicas de estos dispositivos de 32 Gb, teniendo en cuenta que se tratarán de circuitos integrados DDR5 de tercera generación de Micron, se espera que ofrezcan un excelente rendimiento.
La introducción de circuitos integrados DRAM DDR5 de 32 Gb abre las puertas a dispositivos de memoria monolíticos de alta capacidad, especialmente útiles para módulos de memoria destinados a centros de datos.
Micron tiene previsto ofrecer módulos DDR5 de 128 GB basados en estos circuitos integrados el próximo año, con futuros proyectos para capacidades aún mayores de módulos DDR5 de 192 y 256 GB.
Aunque la hoja de ruta de Micron no incluye actualmente memorias de 512 GB y 1 TB, es posible que en el futuro se consideren estas capacidades superiores para determinados clientes.
Además, los futuros proyectos de Micron incluyen la producción en serie de chips de memoria GDDR7 de 16 y 24 GB con velocidades de transferencia de datos de 32 GT/s, así como la memoria HBMNext en pilas de 32 y 64 GB que ofrecen un notable ancho de banda por módulo, prevista para 2026 o posteriormente.
Vía: Guru3D
