KIOXIA ha comunicado los recientes avances de la cooperación entre KIOXIA y Western Digital. Las compañías, demostrando una innovación continua, han anunciado los detalles de su más reciente tecnología de memoria flash 3D.
La memoria flash 3D ofrece una capacidad, un rendimiento y una fiabilidad excepcionales a un precio atractivo, lo que la hace ideal para satisfacer las necesidades de crecimiento exponencial de datos en una amplia gama de segmentos de mercado.
KIOXIA y Western Digital redujeron los costes al introducir varios procesos y arquitecturas únicos, lo que permitió avances continuos en la escalabilidad lateral. Este equilibrio entre escalabilidad vertical y lateral produce una mayor capacidad en un cubo más pequeño con menos capas a un coste optimizado.
Las compañías también desarrollaron una tecnología CBA (CMOS directly Bonded to Array), en la que cada oblea CMOS y oblea de matriz celular se fabrican por separado en su estado optimizado y luego se unen para proporcionar una mayor densidad de bits y una velocidad de entrada/salida NAND rápida.
El flash 3D de 218 capas aprovecha 1 Tb de celda de tres niveles (TLC) y celda de cuatro niveles (QLC) con cuatro planos y cuenta con una innovadora tecnología de encogimiento lateral para aumentar la densidad de bits en más del 50%.
Su I/O NAND de alta velocidad a más de 3,2 Gb/s, una mejora del 60% respecto a la generación anterior, combinada con un rendimiento de escritura y una mejora de la latencia de lectura del 20%, que acelerará el rendimiento general y la usabilidad para los usuarios.
