KIOXIA ha iniciado el muestreo de nuevos dispositivos de memoria UFS 4.1 basados en tecnología QLC (4 bits por celda), una combinación pensada para aplicaciones de lectura intensiva y escenarios donde la alta capacidad de almacenamiento resulta prioritaria. Estos nuevos chips se apoyan en la BiCS FLASH 3D de 8ª generación, la arquitectura más avanzada de la compañía hasta la fecha.
La adopción de QLC en formato UFS permite alcanzar una mayor densidad de bits frente a soluciones tradicionales basadas en TLC, lo que abre la puerta a capacidades más elevadas en dispositivos móviles sin incrementar de forma significativa el tamaño del encapsulado.
QLC UFS: más capacidad con rendimiento competitivo
Históricamente, la tecnología QLC ha estado asociada a un compromiso entre capacidad y rendimiento, pero los avances recientes en controladores y corrección de errores han permitido a KIOXIA mantener un nivel de prestaciones competitivo incluso en este tipo de memoria.
Según los datos facilitados por la compañía, estas nuevas memorias UFS 4.1 QLC logran mejoras sustanciales frente a la generación anterior UFS 4.0 con BiCS6 QLC. En concreto, se registra un incremento del 25% en escritura secuencial, junto a mejoras mucho más marcadas en operaciones aleatorias, con hasta un 90% más en lectura aleatoria y un 95% más en escritura aleatoria.
Mejoras en eficiencia y escritura sostenida
Uno de los puntos técnicos más relevantes es la reducción del Write Amplification Factor (WAF), que puede mejorar hasta 3,5 veces con WriteBooster desactivado. Esta optimización tiene un impacto directo en la durabilidad de la memoria y en la consistencia del rendimiento, especialmente en cargas de trabajo prolongadas.
El soporte de WriteBooster sigue estando presente para acelerar las escrituras cuando el escenario lo requiere, aportando flexibilidad según el tipo de uso y el perfil del dispositivo.
Más allá del smartphone tradicional
Aunque estas memorias están claramente orientadas a smartphones y tablets, KIOXIA apunta también a nuevas categorías de producto que demandan simultáneamente capacidad elevada y buen rendimiento, como PCs, equipamiento de red, AR/VR, IoT y dispositivos con funciones de IA.
Los nuevos chips estarán disponibles en capacidades de 512 GB y 1 TB, integrando controlador y memoria en un encapsulado compatible con el estándar JEDEC. Además, el tamaño del paquete se ha reducido de 11 × 13 mm a 9 × 13 mm, un detalle clave en diseños compactos.
BiCS FLASH de 8ª generación y tecnología CBA
La BiCS FLASH 3D de 8ª generación introduce la tecnología CBA (CMOS directly Bonded to Array), una aproximación arquitectónica que separa y optimiza las capas CMOS y de celdas de memoria. Este diseño permite mejor seeñalización, mayor eficiencia y una base más escalable para futuras evoluciones de capacidad.
En conjunto, el inicio del muestreo de estas UFS 4.1 QLC refleja una estrategia clara de KIOXIA: llevar la alta capacidad a formatos móviles avanzados, manteniendo un equilibrio razonable entre rendimiento, eficiencia y tamaño, en un momento en el que el almacenamiento se ha convertido en un factor crítico para todo tipo de dispositivos conectados.
Vía: TechPowerUp
