En el marco de NEPCON Japan 2026, Intel ha mostrado avances clave en su estrategia de encapsulado avanzado, presentando un nuevo sustrato de vidrio de alto rendimiento pensado para aceleradores de IA y computación de alto rendimiento (HPC) de próxima generación. La información procede de material técnico compartido por SemiVision, donde se detallan las características del diseño.
El nuevo sustrato destaca tanto por dimensiones como por complejidad técnica, y refuerza la apuesta de Intel por tecnologías de empaquetado no orgánico para escalar el rendimiento más allá de los límites del silicio monolítico.
Un sustrato de vidrio de gran tamaño y alta densidad
El diseño presentado se basa en un sustrato de vidrio de 78 × 77 mm, capaz de albergar aproximadamente el doble del tamaño de retícula en silicio, lo que se traduce en 1.716 mm² de área total destinada a lógica y memoria. Esta cifra permite integrar múltiples chiplets y bloques de memoria dentro de un único encapsulado, una necesidad creciente en aceleradores de IA modernos.
Se trata del primer sustrato de vidrio con estructura 10-2-10 compatible con la tecnología EMIB de Intel. En la parte superior, el encapsulado incorpora 10 capas de redistribución (RDL) dedicadas al enrutado de señales de paso fino, un elemento clave para manejar la elevada densidad de interconexiones que exigen estos diseños.
Núcleo de vidrio y simetría en el encapsulado
El núcleo del sustrato está formado por dos capas de vidrio de 800 μm de grosor (0,8 mm), un material que puede integrar capas metálicas embebidas, utilizadas tanto para vías a través del vidrio (TGVs) como para planos de alimentación y tierra.
Las 10 capas inferiores replican la estructura superior, ofreciendo enrutado simétrico hacia la placa base o PCB. Este enfoque permite ordenar y simplificar el entramado de conexiones expuestas por los chips, facilitando la transición entre el encapsulado avanzado y los sistemas de interconexión tradicionales.
Paso de microbumps y uso de EMIB
Otro de los puntos más destacados es el uso de microbumps con un paso de solo 45 μm (0,045 mm), uno de los valores más finos del sector. Esta densidad permite interconexiones de alta velocidad con menor latencia y mayor ancho de banda, aspectos críticos en cargas de IA y HPC.
El diseño integra dos puentes EMIB, lo que posibilita fabricar varios chips más pequeños y conectarlos directamente dentro del encapsulado, reduciendo costes, mejorando el rendimiento por vatio y aumentando la flexibilidad de diseño frente a soluciones monolíticas.
Superando uno de los grandes retos del vidrio
Uno de los principales obstáculos del vidrio como sustrato es su fragilidad, especialmente durante procesos como el dicing. Intel ha señalado que, durante las pruebas, no se detectaron casos de SeWaRe, un fenómeno asociado a microfracturas del vidrio durante la fabricación.
Evitar este problema es clave para la viabilidad industrial del vidrio, y sugiere avances significativos en ciencia de materiales y procesos de manufactura, dos áreas en las que Intel lleva años invirtiendo.
Ventajas frente a los sustratos orgánicos
Aunque el proceso de fabricación es más complejo, los sustratos de vidrio ofrecen ventajas claras frente a los orgánicos tradicionales: mayor resistencia térmica, menor deformación, mejor aislamiento eléctrico y reducción de interferencias. Todo ello permite mayor densidad de interconexión y menores retardos de señal, factores determinantes en arquitecturas de alto rendimiento.
Con este desarrollo, Intel deja claro que el futuro del sector de semiconductores avanzados pasa no solo por nodos de fabricación más pequeños, sino también por innovaciones profundas en encapsulado, un terreno en el que el vidrio empieza a perfilarse como una de las tecnologías más prometedoras para la próxima década.
Vía: TechPowerUp
