Intel concluye la instalación de su segunda máquina ASML High-NA EUV

Intel concluye la instalación de su segunda máquina ASML High-NA EUV

Intel ha realizado importantes progresos en la implantación de la tecnología litográfica de vanguardia High-NA EUV de ASML, según TechNews Taiwan.

Según ha confirmado Mark Phillips, Director de Hardware Litográfico de Intel, la empresa ha completado con éxito el montaje de su segundo sistema High-NA EUV «Twinscan EXE» en sus instalaciones de Portland.

Por su parte, el CEO de ASML, Christophe Fouquet, destacó que el nuevo proceso de ensamblaje permite la instalación directa en las instalaciones del cliente, eliminando la necesidad de desmontar y volver a montar, con el consiguiente ahorro de tiempo y recursos.

Según Phillips, las mejoras que ofrecen las máquinas High-NA EUV han superado las expectativas con respecto a los sistemas EUV estándar. Teniendo en cuenta el enorme precio de 380 millones de dólares de estos sistemas High-NA, cualquier ahorro resulta de gran valor en el proceso.

Gracias a los rápidos avances en la instalación y puesta en marcha de la tecnología High-NA EUV en las instalaciones de Intel, la empresa se posiciona firmemente para la transición a la producción.

Con toda la infraestructura necesaria instalada y las inspecciones de las máscaras High-NA EUV ya en marcha, Intel tiene como objetivo tener su proceso Intel 14A en producción masiva para 2026-2027.

La adopción de la tecnología EUV de alta resolución por parte de Intel va en cabeza y otros gigantes del sector siguen su ejemplo. ASML tiene previsto suministrar sistemas High-NA EUV a TSMC a finales del presente año, y los rumores apuntan a que el primer sistema de TSMC llegará probablemente en septiembre. Asimismo, Samsung se ha comprometido con dicha tecnología, aunque informes recientes apuntan a una posible reducción de sus planes de adquisición.

Por otro lado, este avance ha dado lugar a debates sobre el futuro de la tecnología fotorresistente, y Phillips ha señalado que, si bien la CAR (Chemically Amplified Resist) es suficiente en la actualidad, es probable que los futuros avances requieran fotorresistencias de óxido metálico. Esto proporciona una ligera perspectiva de los futuros nodos de Intel.

Vía: TechPowerUp

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