Recientemente, Intel ha puesto en marcha la producción en masa de chips que hacen uso de su nuevo proceso Intel 3, un significativo avance anunciado en el simposio anual VLSI. Este nuevo proceso representa una mejora con respecto al anterior nodo Intel 4 y está diseñado para ser utilizado tanto por la propia Intel como por sus clientes externos.
La producción de chips Intel 3 ha arrancado en las instalaciones de Intel ubicadas en Oregón e Irlanda. Los planes de la compañía eran que este nuevo proceso estuviera listo para finales de 2023, objetivo ya cumplido. El proceso Intel 3 se utiliza actualmente para producir los últimos procesadores Xeon 6, diseñados principalmente para centros de datos.
El nodo Intel 3 destaca por ser una versión mejorada de Intel 4, presentado el pasado año como la primera aplicación de Intel de la tecnología EUV de ASML. Con respecto a su predecesor, el nuevo nodo de 3 nm ofrece hasta un 18% más de rendimiento con el mismo consumo energético, así como una densidad de transistores hasta un 10% mayor.
Entre los avances de Intel 3, destaca la introducción de dos librerías diferentes de grupos de transistores. Los fabricantes de chips pueden optar ahora entre una librería de alto rendimiento con una densidad de 240 nm y una librería de mayor densidad de 210 nm. Gracias a estas opciones, se consigue una mayor flexibilidad y optimización en el diseño de chips. Los clientes también pueden optar por tres stacks metálicos diferentes en función de sus necesidades: un stack rentable de 14 capas, un stack de 21 capas para mejorar el rendimiento y un stack intermedio de 18 capas.
Daniel Ortega, presidente de Intel, ha afirmado que Intel 3 será el último proceso en el que se utilicen transistores de efecto de campo basados en aletas (finFET). En cuanto al nodo 20A, que se espera para finales del presente año, marcará la transición a los transistores GAA. Se trata de una nueva tecnología que recubre completamente los canales de silicio, lo que mejora el control del flujo eléctrico y reduce problemas como las corrientes de fuga, frecuentes en los chips más pequeños.
Si bien Intel tiene previsto llevar a cabo dicho cambio, otras grandes firmas como TSMC también se pasarán a la tecnología GAA el próximo año, mientras que Samsung ya la ha implantado en su proceso de 3 nm, aunque se ha enfrentado a diversos problemas relacionados con el bajo rendimiento de la producción. El nodo Intel 3 no solo supone un significativo salto tecnológico, sino que también representa un cambio estratégico clave para Intel. Se trata del primer nodo avanzado que Intel ofrece a clientes externos.
Esta iniciativa forma parte de la estrategia IDM 2.0 de la propia Intel, anunciada hace más de tres años, cuyo objetivo es ampliar su papel en la industria de los semiconductores fabricando chips para otras firmas, además de sus propios productos. Se prevé que en el futuro se lancen nuevas mejoras y variantes del Intel 3, con funciones adicionales y un mayor rendimiento. Por otra parte, la compañía también tiene previsto introducir un proceso 18A con tecnología GAA para clientes externos.
Vía: Guru3D
