Intel ha dado a conocer hoy seis nuevos productos de memoria y almacenamiento que ayudarán a clientes a enfrentar los desafíos de la transformación digital.  Como clave para avanzar en la innovación en materia de memoria y almacenamiento, Intel ha anunciado dos nuevas incorporaciones a su línea de productos SSD Optane™: Intel®Optane™ SSD P5800X, la unidad de estado sólido (SSD, por sus siglas en inglés) para centros de datos más rápido del mundo e Intel®Optane Memory H20 para clientes, que ofrece rendimiento y productividad general para la creación de juegos y contenidos. De este modo, Optane ayuda a satisfacer las necesidades de la computación moderna acercando la memoria a la CPU. Asimismo, la compañía también ha revelado su intención de ofrecer su tercera generación de memoria persistente Intel Optane, cuyo nombre en código es Crow Pass, para clientes de nube y empresariales.

Intel anuncia su próxima generación de productos de memoria y almacenamiento

“Hoy es un momento clave para nuestro viaje de Memoria y Almacenamiento. Con el lanzamiento de estos nuevos productos de Optane continuamos nuestra innovación, reforzamos nuestra cartera de memoria y almacenamiento y permitimos a nuestros clientes navegar mejor por la complejidad de la transformación digital. Los productos y tecnologías de Optane se están convirtiendo en un elemento principal de la computación empresarial. Y como parte de Intel, estos productos de liderazgo están avanzando en nuestras prioridades de crecimiento a largo plazo, incluyendo la IA, las redes 5G y el edge inteligente y autónomo”.

 Alper Ilkbahar, Vice President, Data Platform Group & General Manager, Intel Optane Group

También se han anunciado tres nuevas líneas de productos de SSD NAND con memoria en celdas de 144 capas: SSD 670p de Intel, una SSD NAND 3D QLC de 144 capas para la informática convencional; SSD D7-P5510 de Intel, el primer diseño NAND TLC de 144 capas del mundo; y SSD D5-P5316 de Intel, una SSD de mayor densidad y resistencia construido en torno al primer QLC NAND de 144 capas de la industria.

Intel anuncia su próxima generación de productos de memoria y almacenamiento

Gracias a estos anuncios de hoy, Intel continúa estableciendo un nuevo nivel en la pirámide de Memoria y Almacenamiento del centro de datos, que combina los atributos tanto de DRAM como de NAND. Las unidades SSD de Intel Optane alivian los cuellos de botella en el suministro de datos y aceleran las aplicaciones con un rápido almacenamiento en caché y un almacenamiento rápido para aumentar la escalabilidad por servidor y reducir los costes de transacción para las cargas de trabajo sensibles a la latencia.

Intel anuncia su próxima generación de productos de memoria y almacenamiento

La memoria persistente de Intel Optane supone la visión de Intel de una solución de memoria y almacenamiento que ofrece persistencia, capacidad, asequibilidad, baja latencia y velocidad similar a la de la memoria. Gracias a ella, Intel ha rediseñado la jerarquía de memoria y almacenamiento, lo que permite que se utilice como un nivel de capacidad y desempeño diferenciado para la memoria y el almacenamiento. Con este enfoque, es posible crear una arquitectura de memoria de dos niveles en la que la DRAM es el nivel de desempeño y, la memoria persistente, es el nivel de capacidad. En el caso del almacenamiento, la memoria persistente de Optane se utiliza como el nivel de rendimiento al nivel de capacidad NAND.

De este modo, la memoria persistente de Intel Optane se conecta a la unidad central de proceso (CPU, por sus siglas en inglés) a través del bus DDR, lo que permite un acceso directo de carga/almacenamiento a velocidades DRAM, y no volátil, combinando los mejores elementos de memoria y almacenamiento.

Además, Intel fortalecerá y ampliará aún más su exclusivo portfolio de memoria y almacenamiento con su memoria persistente Intel Optane de tercera generación y, en el futuro, los procesadores escalables Intel® Xeon®, bajo el nombre en código, Sapphire Rappids.

Las tres nuevas líneas de productos NAND que se han anunciado hoy representan nuevos hitos para establecer las memorias en celdas de triple nivel (TLC, por sus siglas en ingles) y las memorias en celda de triple y cuádruple nivel QLC; por sus siglas en inglés) como tecnología principal para unidades de alta capacidad. En este sentido, la SSD D7-P5510 de Intel es el primer diseño NAND TLC de 144 capas del mundo y, la SSD D5-P5316 de Intel está construida en torno al primer NAND QLC de 144 capas de la industria. Intel ha estado desarrollando estas tecnologías durante la última década.