La marca Samsung vuelve a situarse en el centro de un grave caso de filtración tecnológica que amenaza la posición de Corea del Sur en el sector de semiconductores. Las autoridades surcoreanas han detenido a varios exdirectivos y exempleados del fabricante tras descubrir una presunta transferencia ilegal de tecnología DRAM de 10 nm a ChangXin Memory Technologies (CXMT), el principal productor chino de memorias.
El caso sale a la luz apenas meses después de que un antiguo responsable de Samsung recibiera la mayor condena penal hasta la fecha por filtrar secretos relacionados con DRAM de 18 nm. Según la fiscalía, los nuevos hechos revelan un patrón reiterado de fuga de propiedad intelectual crítica, con consecuencias que ya se miden en billones de wones para la competitividad industrial del país.
Detenciones y acusaciones formales en Seúl
La Unidad de Investigación de Delitos Tecnológicos de la Fiscalía del Distrito Central de Seúl ha confirmado la detención de un actual directivo de CXMT, acusado de vulnerar la Ley de Protección de Tecnología Industrial. Este ejecutivo, antiguo empleado de Samsung, habría desempeñado un papel clave en el desarrollo del proceso DRAM de 10 nm de la compañía china.
Junto a él, las autoridades han arrestado a cuatro empleados adicionales de CXMT, todos vinculados a antiguos equipos técnicos del fabricante surcoreano. La investigación sostiene que estas incorporaciones no fueron casuales, sino parte de una estrategia deliberada de captación de talento para acelerar el desarrollo tecnológico del fabricante chino.
Un proceso DRAM extremadamente sensible
La DRAM de 10 nm es uno de los nodos más competitivos del mercado de memorias, muy distinto a los procesos lógicos tradicionales. Hasta la fecha, solo SK hynix ha logrado iniciar producción en volumen en su sexta generación de DRAM de 10 nm, algo que no ocurrió hasta finales de 2024.
En el caso de Samsung, el desarrollo de esta tecnología supuso una inversión aproximada de 1,6 billones de wones (1.08$ billones (~932€ millones)) repartidos a lo largo de cinco años, lo que da una idea del valor estratégico de la información filtrada. La fiscalía subraya que CXMT habría evitado gran parte de este esfuerzo gracias al acceso ilícito a datos internos.
Filtraciones sistemáticas y empresas pantalla
Durante la investigación, los fiscales descubrieron que un solo ex empleado de Samsung llegó a filtrar cientos de pasos detallados del proceso de fabricación, además de corregir y validar información técnica para garantizar su viabilidad. Este material habría sido decisivo para que China lograra su primera producción masiva de DRAM en 2023.
Las pesquisas también revelan el uso de empresas pantalla para atraer talento surcoreano, ofreciendo condiciones laborales ventajosas y ocultando inicialmente la vinculación directa con CXMT. En otro caso documentado, un exempleado que se trasladó a la compañía china en 2016 entregó voluminosos documentos manuscritos con información técnica sensible sobre memorias DRAM.
Impacto industrial y antecedentes recientes
Según la fiscalía, el daño acumulado para la industria surcoreana asciende a varios billones de wones, afectando no solo a Samsung, sino al equilibrio global del mercado de memorias. El contexto resulta especialmente delicado si se tiene en cuenta que CXMT ya produce DDR5 y HBM3, y que a finales de 2025 podría alcanzar una capacidad de 280.000 obleas mensuales, cerca del 15% de la producción mundial de DRAM.
Este nuevo escándalo se suma a la condena dictada en febrero de 2025, cuando el Tribunal del Distrito Central de Seúl impuso siete años de prisión a un ex jefe de equipo de Samsung por filtrar secretos relacionados con DRAM de 18 nm. Todo apunta a que las autoridades intensificarán el control sobre la movilidad de talento en el sector de semiconductores, ante el riesgo creciente de fugas tecnológicas de alto impacto.
Vía: Wccftech
