Cuando Crucial canceló su marca gaming Ballistix, no quedó del todo claro si la compañía lanzaría productos de gama más alta en el futuro, aunque la compañía nunca dijo que no lo haría. En mayo del presente año, Crucial lanzó… Leer más
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20 de septiembre de 2023
Samsung ha presentado un logro sin precedentes: la primera memoria DRAM DDR5 de 32 Gb del mundo con tecnología de proceso de 12 nm. Esto supone el inicio de la producción en masa de DRAM DDR5 de 16 Gb de… Leer más
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1 de septiembre de 2023
En su día se vaticinó que la memoria DRAM de doble velocidad de datos y bajo consumo (o LPDDR) para dispositivos móviles sería incapaz de superar su actual velocidad máxima de 8,5 Gb/s por chip hasta la aparición de la… Leer más
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10 de agosto de 2023
La compañía está preparada para dar otro salto cualitativo, preparándose para producir en masa circuitos integrados DDR5 de 32 Gb y módulos de memoria de alta capacidad en la primera mitad de 2024. Los circuitos integrados DDR5 de 32 Gb… Leer más
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27 de julio de 2023
Según noticias procedentes de Corea, NVIDIA estaría considerando a Samsung como socio no solo para la memoria HBM3, sino también para el encapsulado de chips 2.5D. Esto último se debe a que TSMC posee una capacidad limitada para satisfacer todas… Leer más
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20 de julio de 2023
Samsung anunció ayer la producción en masa de los primeros chips de memoria GDDR7 de nueva generación del mundo, y Ryan Smith, de AnandTech, obtuvo algunos detalles técnicos de la compañía. Al parecer, la primera versión de producción de memoria… Leer más
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20 de julio de 2023
AGESA 1.0.0.7B ya se encuentra disponible a través de ciertos fabricantes de placas base con bastantes mejoras para kits de memoria DDR5 más veloces. Según ha informado un representante de AMD en Reddit, el nuevo microcódigo AGESA ya está disponible… Leer más
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19 de julio de 2023
Tras mostrarla por primera vez el pasado mes, Samsung ha anunciado ahora que la fase de desarrollo de la primera solución DRAM GDDR7 del sector ha concluido. Esta nueva solución de memoria de alta velocidad de Samsung llega tras la… Leer más
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19 de julio de 2023
Científicos del Instituto Tecnológico de Tokio han desarrollado un nuevo tipo de DRAM apilada o 3D que los investigadores denominan Bumpless Build Cube 3D o BBCube 3D, que se basa en TSV (Through Silicon Vias) para conectar los dies de… Leer más
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7 de julio de 2023
Un reciente informe pone en relieve una desaceleración en la caída de los precios de las memorias DRAM para PC. Las previsiones para el trimestre en curso indican una ralentización del descenso de los precios de las DRAM hasta una… Leer más
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5 de julio de 2023
