Apacer ha advertido de que la disponibilidad de DRAM para fabricantes de módulos podría limitarse durante 2027 al 30% del volumen recibido en 2026. La previsión de su director ejecutivo, C.K. Chang, implicaría una contracción interanual cercana al 70% dentro de este segmento de la cadena de suministro.
La cifra no representa necesariamente una caída equivalente en la producción mundial total de DRAM. Describe la cantidad que proveedores como Apacer podrían conseguir después de que los principales fabricantes prioricen HBM, memoria para servidores y productos de mayor margen, dejando menos capacidad disponible para ordenadores, electrónica de consumo y módulos convencionales.
Apacer espera una disponibilidad mucho menor durante 2027
C.K. Chang considera que la industria ha entrado en un superciclo de escasez estructural impulsado por la inteligencia artificial. Los fabricantes estarían asignando una proporción creciente de sus obleas a productos avanzados, provocando que el principal riesgo ya no sea pagar más por la memoria, sino no conseguir suficiente suministro.
La previsión de Apacer afecta especialmente a la DRAM adquirida por fabricantes independientes de módulos, no a toda la producción destinada a clientes mediante contratos directos. Los grandes operadores de centros de datos y fabricantes de servidores pueden asegurar volúmenes mediante acuerdos plurianuales, mientras que los compradores menores quedan más expuestos a recortes y retrasos.
Los datos principales comunicados por el sector quedan organizados así:
- Disponibilidad prevista para fabricantes de módulos: alrededor del 30% del volumen de 2026
- Posible contracción interanual: hasta un 70%
- Crecimiento anual de obleas durante 2027 y 2028: aproximadamente un 12%
- Capacidad adicional absorbida por HBM: cerca de la mitad
- Crecimiento previsto de DRAM convencional en bits: alrededor del 15%
- Incremento estimado de la demanda: aproximadamente un 22%
La diferencia entre un crecimiento de oferta del 15% y una demanda que avanzaría un 22% mantendría el mercado desequilibrado incluso con nuevas líneas de producción. Además, el crecimiento medido en bits no refleja necesariamente una disponibilidad uniforme entre DDR4, DDR5, LPDDR, GDDR y memoria para servidores.
La HBM consume una parte creciente de las obleas disponibles
La HBM utiliza varios dies de DRAM apilados verticalmente, acompañados por procesos de selección, ensamblaje y encapsulado mucho más complejos que los de un módulo convencional. Cada pila proporciona un gran ancho de banda, pero consume una cantidad considerable de capacidad industrial por cada gigabyte comercializado.
Según las previsiones recogidas por Business Times, la disponibilidad de obleas para memoria podría aumentar cerca de un 12% anual durante 2027 y 2028, aunque aproximadamente la mitad del incremento terminaría destinada a HBM. La expansión física de las fábricas no se traduciría así en una mejora proporcional para la DRAM convencional.
Samsung elevaría sus entregas de HBM desde aproximadamente 12.000 millones de GB en 2026 hasta 20.000 millones de GB en 2027, mientras que SK hynix pasaría de 18.000 a 24.000 millones de GB. Estas estimaciones muestran la magnitud del traslado de recursos hacia aceleradores de IA y centros de datos.
La presión no procede únicamente de la HBM. La expansión de la IA agéntica, los servidores de alta capacidad y las plataformas de inferencia está elevando también la demanda de DDR5 RDIMM, MRDIMM y memoria empresarial. Por tanto, parte de la DRAM que no se convierte en HBM tampoco llegará a ordenadores personales o electrónica de consumo.
SK hynix anticipa el peor año para el suministro de memoria
La advertencia de Apacer coincide con la previsión del director ejecutivo de SK hynix, Kwak Noh-jung, quien considera que 2027 podría convertirse en el peor año de la historia de la industria desde la perspectiva del suministro. La empresa espera que la demanda continúe superando su capacidad incluso después de ampliar la producción.
Durante sus últimos resultados financieros, SK hynix señaló que el crecimiento no se limita a la HBM. La compañía espera una expansión de la DRAM para servidores destinada a cargas de IA, junto con una mayor necesidad de NAND de alta capacidad para almacenar modelos, datos y servicios asociados.
Los fabricantes están construyendo nuevas instalaciones, pero una fábrica de memoria necesita varios años para entrar en producción y alcanzar un rendimiento industrial estable. Samsung prevé activar la primera parte de su planta P5 durante 2027, mientras que otras fases de Pyeongtaek y Yongin no aportarían capacidad significativa hasta 2029.
SK hynix espera iniciar la producción de su fábrica Y1 de Yongin durante febrero de 2027, mientras que Y2 llegaría en la segunda mitad de 2028. Estas ampliaciones aliviarán gradualmente la presión, pero difícilmente compensarán de inmediato el aumento de demanda previsto para servidores, aceleradores y equipos empresariales.
Los precios de RAM y dispositivos podrían continuar bajo presión
Una disponibilidad menor puede traducirse en precios superiores para módulos DDR5, portátiles, smartphones, tarjetas gráficas y sistemas premontados. El efecto concreto dependerá de los contratos de cada fabricante, sus inventarios y el tipo de memoria utilizado, por lo que no todos los productos sufrirán el mismo incremento.
Las marcas con mayor capacidad financiera pueden asegurar suministro mediante acuerdos anticipados, mientras que los fabricantes pequeños deberán aceptar precios más altos, menores volúmenes o plazos de entrega más largos. Esta diferencia también podría reducir el número de configuraciones económicas con mucha memoria y encarecer las ampliaciones posteriores.
Apacer ya habría elevado considerablemente sus existencias para proteger la demanda de 2027. Acumular inventario reduce el riesgo de interrupciones, pero también inmoviliza capital y traslada parte del aumento de costes hacia los clientes cuando los módulos llegan finalmente al mercado.
La previsión del 70% debe considerarse una estimación empresarial y no una medición confirmada de toda la industria. Sin embargo, la coincidencia entre Apacer, SK hynix y los planes de capacidad de los principales fabricantes indica que la escasez podría prolongarse más allá de una fluctuación temporal.
La 3D DRAM de CXMT no resolverá la escasez a corto plazo
Una posible vía de crecimiento llegará mediante la 3D DRAM, una arquitectura que apila las celdas verticalmente en lugar de depender exclusivamente de reducir sus dimensiones horizontales. CXMT trabaja en esta tecnología para aumentar la densidad sin necesitar inmediatamente los procesos litográficos más avanzados disponibles en Occidente.
El planteamiento puede incrementar la capacidad por oblea y reducir algunas limitaciones del escalado tradicional, pero todavía no existe una producción comercial de gran volumen capaz de modificar el mercado de 2027. Desarrollar una estructura funcional no garantiza rendimientos suficientes, costes competitivos ni fiabilidad durante millones de ciclos de lectura y escritura.
CXMT también está ampliando su capacidad de DRAM convencional, proporcionando una posible fuente adicional para fabricantes chinos. Sin embargo, sus limitaciones tecnológicas, el acceso restringido a determinados equipos y la necesidad de mejorar el rendimiento de fabricación impedirán que sustituya rápidamente el volumen asignado por Samsung, SK hynix y Micron a la HBM.
El escenario más probable para 2027 combina más producción total, una demanda todavía mayor y una distribución profundamente desigual de la capacidad disponible. La HBM y la memoria para servidores recibirán prioridad, mientras que el mercado de consumo deberá competir por el volumen restante y asumir precios potencialmente superiores.
Vía: Wccftech
