CXMT estaría preparando el inicio de la producción limitada de memoria HBM3E antes de finalizar 2026, pese a continuar registrando importantes dificultades de fabricación. Según una investigación exclusiva de Reuters, el fabricante chino obtiene actualmente rendimientos de apenas el 20%-30%, una cifra considerablemente inferior al 70% atribuido a SK hynix, uno de los principales proveedores mundiales.
La compañía ya habría enviado muestras de HBM3E a varios diseñadores chinos de aceleradores de inteligencia artificial, incluyendo dos versiones con diferentes características de fabricación. Sin embargo, el rendimiento de sus chips todavía estaría más cerca de la HBM3 de SK hynix que de su HBM3E, una diferencia que refleja las dificultades de China para desarrollar memoria avanzada competitiva.
CXMT comenzaría la producción limitada de HBM3E en los próximos dos meses
De acuerdo con Reuters, que cita a dos fuentes familiarizadas con los planes del fabricante, CXMT pretende comenzar la producción de HBM3E durante los próximos dos meses, situando el inicio de las operaciones antes de finalizar diciembre. La información amplía los avances conocidos en agosto, cuando la compañía inició la producción de riesgo para comprobar la viabilidad de sus primeros diseños.
Conviene distinguir entre producción de riesgo, fabricación limitada y producción en masa plenamente consolidada. La primera permite validar procesos y detectar defectos, mientras que la segunda puede generar unidades comerciales sin alcanzar todavía grandes volúmenes. Por tanto, el calendario señalado por Reuters no confirma que CXMT pueda suministrar cantidades comparables a las de los fabricantes surcoreanos.
El fabricante también habría desarrollado dos variantes de su memoria HBM3E. La primera mantiene el diseño original, mientras que la segunda incorpora modificaciones destinadas a mejorar los rendimientos de fabricación. Ambas se han enviado a potenciales clientes chinos para su evaluación, aunque no se han comunicado contratos comerciales definitivos ni volúmenes de suministro.
Los problemas con los TSV mantienen el rendimiento de fabricación entre el 20% y el 30%
El principal obstáculo continúa siendo la complejidad del apilamiento de memoria DRAM mediante conexiones TSV (Through-Silicon Via). Estas interconexiones verticales atraviesan los chips de silicio y permiten comunicar las diferentes capas de una pila HBM. Su fabricación exige una elevada precisión en el alineamiento, las conexiones eléctricas y los procesos de unión entre capas.
Informaciones anteriores recogidas por TechPowerUp apuntaban a que CXMT estaría utilizando aproximadamente 3.000 TSV por capa, frente a las cerca de 5.000 conexiones empleadas por Samsung en HBM2 y más de 8.000 atribuidas a SK hynix en HBM3. Sin embargo, estas cifras corresponden a generaciones y diseños diferentes, por lo que no permiten comparar directamente el rendimiento de sus arquitecturas.
Las dificultades también afectan al rendimiento acumulado de las distintas etapas de fabricación. Los informes anteriores situaban el rendimiento inicial de CXMT alrededor del 30%, con aproximadamente un 70% de unidades válidas en determinadas fases posteriores. Si ambas proporciones se aplicasen consecutivamente, el resultado efectivo rondaría el 21%, aunque este cálculo no sustituye las nuevas estimaciones específicas de Reuters.
La investigación actual sitúa el rendimiento global de HBM3E entre el 20% y el 30%, frente al aproximadamente 70% atribuido a SK hynix. Esto significa que una parte considerable de las unidades fabricadas debe descartarse o reprocesarse, incrementando el coste de cada producto funcional y reduciendo la cantidad de memoria que puede comercializarse.
La diferencia tiene consecuencias industriales importantes. Fabricar más obleas no garantiza aumentar proporcionalmente las entregas de HBM3E si la mayoría de las unidades no supera las comprobaciones necesarias. Además, incorporar más capas puede complicar todavía más el proceso, motivo por el que una transición hacia configuraciones de mayor capacidad podría resultar prematura mientras persistan estos problemas.
La HBM3E de CXMT todavía estaría por debajo de SK hynix en rendimiento
La memoria HBM3E utiliza una interfaz de 1.024 bits y contempla velocidades de transferencia que pueden alcanzar 12,4 Gbps por pin, dependiendo de la implementación. En configuraciones de referencia de 9,6 Gbps, el ancho de banda teórico se aproxima a 1,2 TB/s por pila, una característica importante para acelerar aplicaciones de inteligencia artificial.
Esta generación también admite capacidades de 24 GB mediante pilas de ocho capas y 36 GB mediante configuraciones de doce capas, utilizando chips de 24 Gb. Sin embargo, estos valores describen posibilidades de la tecnología HBM3E, no especificaciones verificadas de los módulos fabricados por CXMT. La compañía todavía no ha publicado frecuencias, capacidades ni resultados detallados de sus productos.
Según una de las fuentes consultadas por Reuters, las prestaciones obtenidas durante las pruebas se aproximan más a la HBM3 anterior de SK hynix. Esto indica que adoptar la denominación HBM3E no garantiza igualar el ancho de banda de los líderes del mercado, especialmente cuando las limitaciones industriales pueden condicionar las frecuencias y configuraciones utilizadas.
China prioriza disponer de HBM propia pese a sus elevados costes de fabricación
La decisión de avanzar con rendimientos tan reducidos responde a la escasez de memoria HBM que afrontan los fabricantes chinos de aceleradores de inteligencia artificial. Las restricciones estadounidenses sobre la exportación de tecnologías avanzadas han complicado el acceso a determinados productos extranjeros, mientras la demanda de memoria de alto ancho de banda continúa creciendo.
En este contexto, CXMT podría encontrar clientes nacionales incluso con productos menos eficientes y más costosos que sus equivalentes internacionales. La disponibilidad de un proveedor doméstico permitiría reducir parte de la dependencia exterior, aunque no resolvería inmediatamente los problemas de capacidad, rendimiento y competitividad que afectan a la fabricación china de HBM.
La situación contrasta con los avances de SK hynix, Samsung y Micron, que ya están ampliando sus respectivas actividades relacionadas con HBM4 y generaciones posteriores. Mientras estos fabricantes trabajan en tecnologías de mayor densidad y ancho de banda, CXMT todavía necesita estabilizar su primera HBM3E comercial, una diferencia que podría mantenerse incluso después del inicio de la producción.
Por ahora, CXMT no ha confirmado oficialmente el calendario recogido por Reuters, ni ha detallado cuándo espera alcanzar rendimientos de fabricación competitivos. El comienzo de la producción limitada supondría un avance industrial para China, pero la verdadera prueba será conseguir aumentar las unidades funcionales, reducir costes y suministrar memoria HBM3E de manera estable a los fabricantes nacionales de aceleradores de IA.
Vía: TechPowerUp
