SK hynix está acelerando con fuerza la migración de su producción DRAM hacia el nodo 1c, correspondiente a la sexta generación de sus procesos de clase 10 nm. Tras representar alrededor del 10% del volumen durante el primer trimestre de 2026 y cerca del 13% en el segundo, la previsión apunta a un salto hasta el 24% en Q3 y el 34% en Q4.
La transición continuará durante los primeros meses de 2027. Para entonces, el nodo 1c alcanzaría aproximadamente el 35% de la producción de DRAM de SK hynix, superando por primera vez al 1b, que bajaría hasta alrededor del 33%. Este proceso será especialmente importante para futuras memorias HBM4E, LPDDR6 y DDR5.
El nodo 1c pasará del 10% al 34% en apenas un año
La velocidad de la transición refleja hasta qué punto SK hynix está reorganizando sus fábricas alrededor de procesos más avanzados. El 1c representaba solo uno de cada diez chips DRAM producidos en Q1 de 2026, pero prácticamente triplicará ese peso antes de terminar el año.
La evolución prevista queda así:
- Q1 2026: aproximadamente 10% en nodo 1c.
- Q2 2026: alrededor del 13%.
- Q3 2026: previsión del 24%.
- Q4 2026: aproximadamente 34%.
- Q1 2027: cerca del 35%, frente al 33% del nodo 1b.
El cambio de liderazgo llegaría precisamente durante el primer trimestre de 2027, momento en el que 1c se convertiría en el proceso DRAM con mayor peso dentro de SK hynix. El 1b seguirá siendo muy relevante, pero dejará de ocupar la posición dominante que mantiene actualmente.
Los nodos DRAM no equivalen directamente a los de CPU o GPU
Conviene diferenciar esta nomenclatura de los nodos empleados habitualmente en procesadores. Un nodo DRAM 1c no puede compararse directamente con un proceso lógico de 3 nm, 5 nm o 10 nm, ya que los fabricantes de memoria utilizan su propia evolución dentro de los denominados procesos de clase 10 nm.
En el caso de SK hynix, el actual nodo 1b tendría unas dimensiones físicas aproximadas de 12-13 nm y alrededor de cuatro capas procesadas mediante EUV, mientras que el nuevo 1c reduciría esa escala hasta unos 11-12 nm e incrementaría el uso de litografía ultravioleta extrema.
El proceso 1c recurriría concretamente a entre cinco y seis capas EUV, aumentando la complejidad de fabricación, pero permitiendo reducir estructuras y seguir elevando densidad y eficiencia. No se trata, por tanto, únicamente de cambiar el nombre comercial del nodo, sino de introducir modificaciones importantes en el proceso.
Ese incremento del uso de EUV resulta especialmente relevante porque el escalado tradicional de DRAM está acercándose cada vez más a sus límites físicos, obligando a los fabricantes a emplear técnicas de fabricación más complejas para continuar aumentando capacidad y rendimiento.
HBM4E y LPDDR6 estarán entre los grandes beneficiados
SK hynix utilizará el nodo 1c para fabricar HBM4E, LPDDR6 y nuevas generaciones de DDR5, convirtiéndolo en una pieza central de su catálogo durante los próximos años.
El nodo anterior 1b, entretanto, continuará soportando productos como DDR5, LPDDR5X, HBM3E y HBM4, por lo que su pérdida de peso dentro de la producción no implica una retirada inmediata. Ambas tecnologías convivirán durante un periodo considerable.
La presencia de HBM resulta especialmente importante por el crecimiento de la inteligencia artificial. HBM3E y HBM4 están absorbiendo una parte creciente de la capacidad de los grandes fabricantes de memoria, mientras que HBM4E elevará todavía más las exigencias de densidad, consumo y ancho de banda.
LPDDR6 será otra de las piezas estratégicas del nodo 1c. Su llegada apunta a smartphones, portátiles y dispositivos de nueva generación con mayores necesidades de ancho de banda y eficiencia energética, precisamente dos áreas donde reducir el tamaño de las celdas resulta especialmente valioso.
SK hynix podría adelantar a Samsung y Micron en 1c
Actualmente, SK hynix todavía no lidera la industria en porcentaje de producción basada en esta generación. Samsung tendría alrededor del 16% de su producción DRAM sobre 1c, mientras que Micron alcanzaría aproximadamente el 19%.
SK hynix partía del 13% durante Q2, por debajo de ambos competidores, pero el crecimiento previsto hasta el 24% en el tercer trimestre y el 34% durante el cuarto cambiaría rápidamente la situación.
Si se cumplen las estimaciones, SK hynix pasaría a tener el mayor porcentaje de producción sobre un nodo equivalente a 1c entre los tres grandes fabricantes durante Q4 de 2026. La compañía estaría ejecutando así una transición mucho más rápida durante la segunda mitad del año.
Ese dato no implica necesariamente disponer de más obleas DRAM totales que Samsung o Micron, sino que una proporción mayor de la producción propia de SK hynix estaría basada en su proceso más avanzado.
El siguiente salto podría abandonar el diseño DRAM planar tradicional
Más allá de 1c, el problema será continuar reduciendo las celdas mediante el esquema actual. La arquitectura DRAM convencional basada en una distribución planar 6F² empieza a encontrarse con límites físicos cada vez más difíciles de superar.
Una de las posibles soluciones pasa por estructuras 4F² con transistores de puerta vertical, que permitirían reducir todavía más el área ocupada por cada celda sin depender exclusivamente del escalado horizontal.
El siguiente paso sería todavía más profundo: apilar estructuras DRAM verticalmente mediante diseños 3D, siguiendo una filosofía similar a la transformación que experimentó la memoria NAND cuando el escalado planar dejó de resultar suficiente.
Estas arquitecturas todavía representan una etapa posterior del desarrollo. Mientras tanto, el nodo 1c seguirá siendo una plataforma fundamental para SK hynix durante varios años, especialmente a medida que HBM4E y LPDDR6 entren en producción de gran volumen.
La demanda de IA acelera la carrera por la DRAM avanzada
El rápido traslado de capacidad hacia 1c muestra que la competencia ya no se limita únicamente a producir más memoria, sino a introducir antes los nodos capaces de soportar las próximas generaciones de HBM y LPDDR.
SK hynix está especialmente expuesta a esa presión por su posición en HBM. Mantener el liderazgo en memoria para aceleradores de inteligencia artificial requiere aumentar capacidad mientras se introducen procesos cada vez más complejos, una combinación difícil en un mercado donde la demanda continúa creciendo.
Si la hoja de ruta se cumple, el cambio será especialmente rápido: 1c habrá pasado del 10% al 34% de la producción de SK hynix en solo cuatro trimestres, antes de convertirse oficialmente en su nodo DRAM dominante a comienzos de 2027.
Vía: TechPowerUp
