Samsung ha detallado en el VLSI Symposium 2026 su hoja de ruta para llevar la memoria V-NAND hacia diseños de 900 a más de 1.000 capas. El objetivo es responder a la demanda creciente de SSD de alta capacidad, especialmente en servidores, centros de datos y sistemas donde la densidad por chip empieza a ser crítica.
La propuesta todavía se encuentra en una fase temprana, pero marca una dirección clara para la próxima década. Samsung quiere combinar dos estructuras NAND apiladas mediante tecnologías de unión avanzada, superando las limitaciones físicas de los diseños actuales sin depender únicamente de aumentar capas de forma lineal.
Samsung quiere superar las 1.000 capas a partir de la próxima década
Fuente de la imagen: Dr. Ian Cutress
La industria NAND acaba de entrar en la era de las 400 capas, pero los fabricantes ya miran mucho más lejos. Samsung apunta a soluciones de 420 capas hacia 2029, más de 560 capas alrededor de 2030 y diseños superiores a 1.000 capas al inicio de la siguiente década.
La lectura técnica es importante porque no hablamos de un simple salto incremental. Aumentar capas permite elevar capacidad por chip y reducir coste por bit a largo plazo, pero también introduce problemas de fabricación, alineación, rendimiento por oblea y estabilidad mecánica durante el proceso.
En SSD de gran capacidad, esa evolución puede ser decisiva. Si la densidad NAND aumenta de forma suficiente, unidades que hoy quedan reservadas a entornos empresariales podrían escalar mucho más en capacidad, siempre que el coste, el rendimiento y la fiabilidad acompañen.
El doble apilado permitiría crear NAND de 900 capas
Fuente de la imagen: Dr. Ian Cutress
La vía más llamativa pasa por unir dos bloques NAND de gran altura. Samsung plantea una solución con dos celdas de unas 450 capas conectadas mediante Cell-Multi Bonding, formando una estructura equivalente a 900 capas dentro de un mismo diseño.
Este enfoque evita depender solo de un apilado único cada vez más alto. Dividir la estructura en dos stacks y unirlos con precisión puede reducir parte de los problemas físicos, aunque también aumenta la complejidad del proceso y exige una alineación extremadamente fina entre capas.
El potencial en capacidad es enorme. Según la interpretación técnica citada, una solución de este tipo podría permitir que un SSD QLC de 8 TB escale hasta 32 TB, manteniendo el mismo tipo de mercado objetivo, pero con mucha más densidad disponible.
La deformación de la oblea era uno de los grandes obstáculos
Uno de los principales problemas para alcanzar este nivel de capas es la deformación de la oblea durante el proceso de fabricación. Cuantas más capas se apilan, más difícil resulta mantener estabilidad mecánica, alineación y uniformidad, especialmente cuando se trabaja con estructuras tan altas.
Samsung asegura haber avanzado en control de deformación mediante un nuevo diseño de sujeción, conocido como Upper Chuck Design. Esta solución busca mantener la oblea más estable durante procesos críticos, reduciendo desviaciones que podrían afectar al rendimiento final del chip.
La compañía también habla de tecnologías de overlay correction para corregir errores de alineación. En una NAND de cientos de capas, pequeñas desviaciones pueden convertirse en un problema enorme, así que la precisión entre estructuras será tan importante como el número total de capas.
Samsung working on 900L+ NAND for 2030 and beyond.
It means that 8 TB QLC M.2 drive could be a 32 TB drive.
Soon™ pic.twitter.com/CFZ8Iuny0I— . (@IanCutress) June 22, 2026
SK Hynix y YMTC también presionan la carrera NAND
Samsung no corre sola en esta carrera. SK Hynix lidera actualmente parte del avance con NAND de 321 capas, mientras ya se trabaja en generaciones cercanas a las 400 capas. La diferencia estará en los métodos de unión, con Vertical Bonding en Samsung y Hybrid Bonding en SK Hynix.
La presión también llega desde China. YMTC ya ofrece soluciones NAND de 294 y 232 capas, reduciendo distancia frente a Samsung, SK Hynix y Micron. Además, la compañía está invirtiendo en nuevas fábricas para ampliar capacidad de obleas en plena tensión entre oferta, demanda y crecimiento de la IA.
Ese contexto cambia la importancia de la hoja de ruta. La NAND ya no compite solo por precio en SSD de consumo, sino por capacidad, densidad, control industrial y acceso a grandes clientes de centros de datos. Quien controle mejor el escalado tendrá una ventaja fuerte.
La IA y los centros de datos empujan SSD mucho más grandes
La demanda de SSD de alta capacidad está creciendo por varios frentes. IA, almacenamiento empresarial, inferencia, entrenamiento, servidores y nubes privadas necesitan más capacidad en menos espacio físico, especialmente cuando los racks deben equilibrar consumo, densidad y coste operativo.
En ese escenario, la NAND de más de 900 capas puede ser una pieza clave para multiplicar capacidad sin disparar el número de chips, aunque todavía quedan barreras importantes de fabricación. El objetivo no es solo meter más terabytes, sino hacerlo con rendimiento, fiabilidad y costes asumibles.
Para el mercado de consumo, el impacto llegará más tarde. Los primeros beneficiados serán centros de datos y SSD empresariales, pero la evolución de densidad acaba filtrándose a PCs, portátiles y unidades externas con el paso de los años.
La V-NAND de 1.000 capas sigue lejos, pero marca el camino
La tecnología de 900 a más de 1.000 capas todavía no está lista para producción masiva. Samsung la plantea como una ruta hacia 2030 y los primeros años de la siguiente década, mientras las generaciones de 400 capas irán llegando antes al mercado.
La clave será convertir el prototipo en una fabricación rentable. Controlar deformación, alineación, rendimiento por oblea y coste por bit decidirá si esta arquitectura se convierte en estándar o si queda reservada a productos concretos de muy alta capacidad.
La conclusión es clara: Samsung prepara una nueva etapa para SSD mucho más densos, basada en doble apilado, unión avanzada y corrección de alineación. Todavía falta tiempo, pero la carrera hacia la V-NAND de más de 1.000 capas ya está en marcha.
Vía: Wccftech
