Samsung ha mostrado en Computex 2026 un avance de su futura memoria HBM5, donde aparece una nueva solución térmica denominada HPB, o Heat Block Path. La tecnología apunta a mejorar la disipación en pilas HBM cada vez más densas, rápidas y exigentes, reforzando el control térmico como límite directo del rendimiento en IA.
La presentación llega en plena carrera entre Samsung, SK hynix y Micron por dominar la siguiente generación de memoria de alto ancho de banda. Con HBM4 aún en despliegue para GPU de IA, el salto hacia HBM5 ya se centra en eficiencia térmica, empaquetado avanzado y mayor estabilidad bajo carga sostenida.
HPB aparece como respuesta al problema térmico de HBM5
El avance de HPB debe entenderse dentro de un problema cada vez más claro: las pilas HBM aumentan densidad, velocidad y consumo dentro de paquetes muy compactos. En ese escenario, la refrigeración deja de ser una cuestión externa y se convierte en una condición necesaria para escalar memoria de alto ancho de banda.
SK hynix ya había mostrado iHBM, una propuesta con elementos de refrigeración integrados para mejorar la resistencia térmica en futuras memorias. Samsung responde ahora con Heat Block Path, una estructura orientada a crear una ruta más eficaz para extraer calor desde la pila DRAM hacia el sistema de refrigeración.
La clave no está solo en reducir la temperatura. Si HBM5 quiere alimentar futuras GPU de IA, tendrá que sostener frecuencia, ancho de banda y estabilidad durante cargas prolongadas. Ahí el HPB apunta a resolver el cuello de botella térmico que aparece al aumentar densidad y velocidad.
El HPB se colocaría junto al die de memoria sobre el base die
El diseño mostrado sitúa el HPB junto a la pila de Core Die, dentro del mismo base die. La conexión se realizaría mediante D2D PHY, permitiendo que parte del calor generado por la pila DRAM fluya hacia esa estructura y se disipe mejor a través de la placa fría.
Este planteamiento sugiere que Samsung no quiere depender únicamente de la refrigeración externa. La compañía introduce una vía térmica dentro de la propia arquitectura HBM5, lo que apunta a una disipación integrada en el empaquetado de memoria y no a un simple ajuste sobre la superficie del módulo.
El detalle de que el HPB tenga una altura similar a la pila de memoria también resulta importante. Mantener esa geometría puede mejorar el contacto térmico con la placa fría, reducir puntos calientes y facilitar una extracción de calor más uniforme desde la estructura HBM.
Samsung y SK hynix buscan el mismo objetivo por vías distintas
Aunque el diseño recuerda al enfoque de iHBM de SK hynix, no conviene asumir que ambas tecnologías funcionen igual. Cada fabricante puede emplear materiales, procesos y técnicas internas diferentes, así que lo prudente es hablar de estrategias térmicas paralelas para resolver el mismo problema físico.
SK hynix utiliza tecnologías propias como MR-RUF en su desarrollo de iHBM, mientras Samsung previsiblemente aplicará métodos internos para HPB. La diferencia puede ser clave, porque en memoria HBM no basta con enseñar un concepto: importa fabricarlo con buen rendimiento, fiabilidad y volumen suficiente.
La carrera, por tanto, no se decidirá solo por quién presente antes una solución térmica. También pesarán validación con clientes, eficiencia por pila, rendimiento sostenido y disponibilidad comercial. En HBM5, ganar contratos dependerá de combinar innovación térmica con producción estable a gran escala.
HBM5 apunta a GPU de IA a partir de 2028 o 2029
Los primeros aceleradores con HBM5 no se esperan hasta 2028-2029, lo que deja margen para que los fabricantes ajusten diseño, materiales y validación con socios clave. Ese calendario confirma que la tecnología aún está en fase temprana, aunque ya muestra una dirección clara para la próxima generación de memoria de IA.
Este margen temporal resulta lógico porque HBM5 tendrá que validarse junto a futuros silicios de GPU, interposers, encapsulados avanzados y sistemas de refrigeración para centros de datos. No basta con mejorar la memoria aislada: el objetivo es construir un paquete completo capaz de sostener cargas de IA extremas.
También hay una lectura comercial importante. Los grandes clientes necesitan asegurar suministro y hoja de ruta con años de antelación, especialmente en IA. Mostrar HPB ahora permite a Samsung transmitir que tiene una respuesta técnica preparada para la siguiente frontera térmica de HBM.
La memoria ya pesa tanto como el silicio de GPU
La evolución hacia HBM5 confirma que el rendimiento de IA ya no depende solo del silicio de GPU. A medida que los modelos crecen, la memoria debe aportar más capacidad, más ancho de banda y mejor eficiencia térmica. Sin esa base, incluso los aceleradores más potentes quedan limitados por alimentación de datos insuficiente.
Por eso la competencia entre Samsung, SK hynix y Micron se ha vuelto crítica para todo el sector. Cada avance en HBM condiciona el diseño de futuras plataformas de NVIDIA, AMD y otros proveedores de aceleradores, porque la memoria se ha convertido en un componente estratégico del rendimiento real en centros de datos.
En este contexto, HPB no es una simple mejora de disipación. Es una pieza dentro de una carrera más amplia por permitir pilas más densas, más rápidas y más eficientes. Si madura correctamente, puede ayudar a Samsung a recuperar terreno en la próxima gran generación de memoria HBM para IA.
Computex confirma que la batalla HBM5 ya ha empezado
La presencia de HBM5 con HPB en Computex 2026 demuestra que la industria ya trabaja varios años por delante del hardware comercial. Aunque HBM4 será protagonista inmediata en GPU como Rubin o MI400, la siguiente batalla ya gira alrededor de cómo disipar más calor en menos espacio.
La lectura final es clara: la IA está forzando una evolución profunda en memoria, encapsulado y refrigeración. Samsung intenta posicionarse con HPB antes de que HBM5 entre en producción real, mientras sus rivales avanzan con soluciones propias para lograr más ancho de banda, mayor densidad y mejor control térmico.
Vía: Wccftech
