Intel refuerza su presencia en el sector de memoria avanzada con ZAM (Z-Angle Memory), un proyecto desarrollado junto a SoftBank mediante SAIMEMORY, que ahora recibe el respaldo directo de NEDO. Esta selección implica financiación pública, acceso a infraestructura industrial y una clara aceleración en un momento donde la escasez de memoria para IA y HPC condiciona el crecimiento del sector.
El movimiento tiene una doble lectura estratégica. Por un lado, Intel posiciona ZAM como una alternativa directa a HBM, atacando uno de los pilares actuales del rendimiento en IA. Por otro, Japón refuerza su papel en la cadena global de semiconductores, apostando por una tecnología que puede impactar en centros de datos, sistemas de IA y computación de alto rendimiento.
ZAM redefine el enfoque de memoria para IA
El proyecto ZAM surge como respuesta a los límites actuales en consumo energético, coste y escalabilidad que presentan las memorias de alto rendimiento. Intel plantea una solución que combina alta densidad, gran ancho de banda y menor consumo, pero también un enfoque más eficiente en términos de diseño y fabricación.
Este cambio es clave porque no se limita a mejorar cifras, sino a replantear la base del modelo. ZAM busca ofrecer una estructura más simple, más eficiente y potencialmente más escalable, lo que puede marcar diferencias si logra trasladarse a producción real. En este contexto, el respaldo de NEDO acelera el desarrollo y reduce incertidumbre en fases críticas.
ことしの年次イベントIntel Connection Japan 2026で発表した、SAIMEMORYと共同で推進している次世代メモリー開発が、NEDO(国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構)の助成事業に採択されました。
これにより、AI時代に向けた次世代積層DRAMアーキテクチャーであるZ-Angle Memory (ZAM)… pic.twitter.com/G8vE17gKb2
— インテル【公式】 (@IntelJapan) April 24, 2026
Arquitectura Z-Angle: densidad extrema con consumo reducido
A nivel técnico, Z-Angle Memory introduce un diseño basado en pilas de DRAM altamente compactas, conectadas mediante interconexiones Z-Angle que optimizan la comunicación entre capas. Cada stack se integra con el chip principal a través de EMIB bajo el die base, facilitando una conexión directa y eficiente.
Este planteamiento permite alcanzar densidades de hasta 512 GB por chip, junto a una reducción estimada de consumo de entre 40% y 50%, cifras que, de cumplirse, supondrían una mejora notable frente a soluciones actuales. Además, la simplificación del diseño apunta a una fabricación más accesible y escalable, un factor crítico para su adopción.
El valor diferencial no está solo en cada métrica, sino en su combinación: más capacidad, menor consumo y mejor integración, tres variables clave en sistemas de alto rendimiento.
Japón impulsa el desarrollo con financiación y ecosistema
La participación de NEDO aporta mucho más que financiación. El organismo articula un entorno que integra socios tecnológicos, fabricantes y cadena de suministro, tanto a nivel nacional como internacional, lo que permite avanzar no solo en desarrollo, sino también en industrialización y despliegue comercial.
Este respaldo reduce uno de los mayores riesgos de nuevas tecnologías: el salto de prototipo a producción. Con este entorno, ZAM puede validarse en condiciones reales y acelerar su llegada al mercado. Además, Japón refuerza su papel histórico en memoria, recuperando protagonismo en un sector estratégico.
Fuente de la imagen: PCWatch
Intel vuelve a la memoria con una apuesta estructural
El desarrollo de ZAM marca el regreso de Intel a un terreno donde tuvo peso en el pasado, pero con un enfoque completamente distinto. No busca competir en lo existente, sino introducir una tecnología capaz de redefinir la memoria avanzada en términos de eficiencia y escalabilidad.
El reto es evidente. HBM está consolidada, con un ecosistema maduro y ampliamente adoptado en IA. Para competir, ZAM necesita demostrar viabilidad industrial, capacidad de producción y adopción real por parte del mercado, algo que va más allá de las especificaciones técnicas.
Si lo consigue, el impacto podría ser profundo, ya que atacaría uno de los principales límites actuales del sector: la dependencia de soluciones de memoria costosas y con consumo elevado.
Vía: Wccftech
