Samsung ha presentado el SSD BM9K1, una nueva solución de almacenamiento basada en PCIe 5.0 que introduce un cambio relevante en su estrategia: el uso de un controlador RISC-V propio en lugar de la tradicional arquitectura Arm. Este movimiento no solo afecta al diseño interno del dispositivo, sino que anticipa una evolución progresiva en su catálogo de SSD, con mayor control sobre el silicio y el firmware.
El nuevo modelo, mostrado en el China Flash Market Summit 2026, alcanza una velocidad secuencial de lectura de hasta 11,4 GB/s, una cifra destacada si se tiene en cuenta que utiliza memoria QLC NAND, habitualmente menos orientada al alto rendimiento que la TLC. Aunque no se han confirmado cifras oficiales de escritura, se espera que se sitúen en torno a los 10 GB/s, dependiendo del ajuste final del controlador.
RISC-V entra en escena en los controladores de Samsung
El aspecto más relevante del Samsung BM9K1 es la adopción de una IP propietaria basada en RISC-V, lo que permite a la compañía desligarse parcialmente del ecosistema Arm en determinados controladores. Este enfoque abre la puerta a un mayor control del firmware, así como a una optimización más precisa de los patrones de I/O de la memoria NAND, mejorando la eficiencia en el acceso a datos.
Frente a soluciones previas como el controlador Presto de 5 nm basado en Arm, utilizado en unidades como el Samsung 9100 Pro con memoria 3D TLC V-NAND V8 de 236 capas, esta nueva arquitectura busca equilibrar rendimiento y eficiencia sin depender de diseños cerrados. Aun así, los SSD de gama más alta siguen apostando por TLC NAND junto a controladores Arm, especialmente en escenarios donde la resistencia y el rendimiento sostenido son determinantes.
PCIe 5.0, eficiencia energética y enfoque en IA
El BM9K1 sustituye al anterior controlador BM9C1 basado en PCIe 4.0, manteniendo el uso de QLC NAND, pero introduciendo mejoras claras en arquitectura. El salto a PCIe 5.0 permite prácticamente duplicar el rendimiento en lectura secuencial, lo que lo posiciona como una opción competitiva para plataformas modernas.
Uno de los avances más relevantes es la eficiencia energética, donde Samsung afirma haber logrado una mejora del 23% en consumo, gracias a la capacidad de RISC-V para adaptar el firmware del controlador a los patrones de I/O. Este ajuste fino permite una gestión más eficiente de los datos, reduciendo el consumo sin penalizar el rendimiento.
Además, el diseño del controlador tiene en cuenta cargas de trabajo relacionadas con IA, lo que apunta a una integración más estrecha entre almacenamiento y procesamiento de datos. En este contexto, el SSD deja de ser un simple soporte pasivo para convertirse en un elemento clave en la transferencia optimizada de datos dentro del sistema.
Capacidades previstas y evolución futura
Samsung planea lanzar el BM9K1 en 2027, con configuraciones de 512 GB, 1 TB y 2 TB, aunque todavía no se han revelado detalles sobre precios, disponibilidad o métricas clave como la resistencia (endurance) y las velocidades de escritura definitivas.
El principal compromiso del diseño sigue siendo el uso de QLC NAND, que puede limitar la durabilidad en determinados escenarios frente a alternativas TLC. Sin embargo, la compañía ya deja entrever la posibilidad de combinar en el futuro controladores RISC-V con memoria TLC, lo que permitiría ofrecer soluciones más equilibradas en rendimiento, eficiencia y vida útil.
En este escenario, el Samsung BM9K1 no solo representa un nuevo producto, sino un paso hacia una mayor independencia en el diseño de controladores de almacenamiento, donde la personalización del silicio y la eficiencia energética serán factores cada vez más determinantes en el sector.
Vía: TechPowerUp
