El sector de memoria DRAM ha entrado en una fase claramente dominada por los vendedores, con demanda muy superior a la oferta disponible. En este contexto, fabricantes como Micron, Samsung y SK hynix han activado planes agresivos de expansión de capacidad productiva, con inversiones que alcanzan cientos de miles de millones de dólares. Sin embargo, los calendarios de despliegue y el destino final de esa capacidad indican que el mercado de consumo no será el principal beneficiado a corto plazo.
El auge de la infraestructura de IA, junto con la firma de acuerdos a largo plazo (LTA) por parte de grandes clientes, ha desplazado el foco hacia productos de alto margen vinculados al sector de IA y centros de datos.
Micron proyecta 200.000 WPM adicionales en EE. UU.
Según el The Wall Street Journal, Micron planea invertir 200.000 millones de dólares en nuevos proyectos, incluyendo un campus de 182 hectáreas en Boise. La instalación albergará dos fábricas con una sala blanca combinada de 55.742 m², lo que podría traducirse en una capacidad estimada de 150.000-200.000 obleas por mes (WPM), un incremento cercano al 40% sobre su producción global actual.
Además, el proyecto en Nueva York contempla hasta 100.000 millones de dólares adicionales, con cuatro salas blancas de 55.742 m² cada una. Sin embargo, el calendario es dilatado: la expansión en Boise alcanzará plena capacidad en H2 2027, mientras que el complejo neoyorquino no completará su despliegue hasta 2045.
SK hynix y Samsung adelantan calendarios
En Corea del Sur, SK hynix ha acelerado el cronograma de su fábrica en Yongin, con una inversión total prevista de 85.000 millones de dólares. Las pruebas iniciales comenzarían este mismo mes o el siguiente, adelantando la puesta en marcha a febrero-marzo, antes del calendario original de mayo.
Por su parte, Samsung ha adelantado la finalización de su fábrica Pyeongtaek P4 al Q4 2026, con una producción estimada de 100.000-120.000 WPM, reforzando el crecimiento agregado de capacidad hacia 2027.
La capacidad adicional priorizará IA frente a consumo
Aunque sobre el papel el aumento de WPM global podría aliviar la escasez, la realidad es que la mayor parte de esta nueva producción se destinará a productos orientados a IA, donde la memoria de alto ancho de banda (HBM), los módulos SOCAMM y la evolución de LPDDR en entornos de servidor están absorbiendo volúmenes crecientes.
El crecimiento de la inferencia en modelos multimodales y agentes autónomos ha convertido la memoria en el principal cuello de botella de ancho de banda, elevando la prioridad de estos productos frente a la DRAM convencional de consumo. Esto implica que incluso con más capacidad instalada, la asignación estratégica favorecerá el sector de IA y aceleradores de alto rendimiento.
En consecuencia, aunque los planes de inversión son masivos, el impacto real sobre la memoria para PC, smartphones y dispositivos de consumo podría ser limitado en el corto y medio plazo. La expansión productiva ayudará a sostener el superciclo actual, pero no necesariamente reducirá de forma inmediata la presión de precios para el usuario final.
Vía: Wccftech
