El sector de los SoC de gama alta se enfrenta a un problema cada vez más evidente: las limitaciones térmicas. En este contexto, un nuevo rumor apunta a que Qualcomm adoptará la tecnología Heat Pass Block (HPB) de Samsung en sus próximos Snapdragon 8 Elite Gen 6 y Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro, siguiendo el camino iniciado por el Exynos 2600, donde esta solución ya ha demostrado mejoras térmicas de hasta un 16%.
La necesidad de un sistema de refrigeración más avanzado llega en un momento clave, ya que los Snapdragon 8 Elite Gen 5 ya rozan los límites de lo que pueden manejar soluciones pasivas tradicionales como cámaras de vapor y láminas de grafito, especialmente cuando se buscan frecuencias cada vez más agresivas.
Frecuencias más altas exigen nuevas soluciones térmicas
Aunque el salto al proceso de 2 nm de TSMC ayudará a mejorar la eficiencia, la litografía por sí sola no es suficiente cuando los fabricantes apuntan a frecuencias cercanas o incluso superiores a los 5,00 GHz. De hecho, filtraciones previas ya indicaban que Qualcomm estaría probando el Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro a 5,00 GHz, una cifra difícil de sostener en el reducido espacio interno de un smartphone sin una refrigeración más sofisticada.
Aquí es donde entra en juego el Heat Pass Block, una solución diseñada para mejorar la transferencia térmica directamente desde el silicio.
Qué es exactamente el Heat Pass Block
El HPB es, en esencia, un disipador de cobre colocado directamente sobre el die del SoC, mientras que el chip de memoria DRAM se sitúa a un lado. Este diseño rompe con el esquema tradicional, en el que la memoria se coloca encima del SoC, creando un punto caliente que dificulta la disipación del calor.
Gracias a la alta conductividad térmica del cobre, el HPB permite evacuar el calor de forma más eficiente antes de que este se acumule, reduciendo la dependencia de soluciones externas y mejorando la estabilidad térmica bajo carga sostenida.
Rumores desde China refuerzan la adopción del HPB
En Weibo, el conocido filtrador Fixed Focus Digital ha vuelto a insistir en que Qualcomm integrará el Heat Pass Block tanto en el Snapdragon 8 Elite Gen 6 como en su variante Pro. El mismo informador ya había adelantado anteriormente las pruebas de frecuencias extremas en los núcleos de alto rendimiento del nuevo SoC de 2 nm.
En un entorno de laboratorio, sin restricciones térmicas ni energéticas, alcanzar los 5,00 GHz sería viable. Sin embargo, trasladar ese silicio a un smartphone compacto cambia completamente el escenario, haciendo imprescindible un sistema de refrigeración avanzado.
Una necesidad más que una opción
A estas alturas, la adopción del HPB parece más una obligación que una mejora opcional. El Snapdragon 8 Elite Gen 5 ya logra superar al A19 Pro en benchmarks como Geekbench 6, pero lo hace consumiendo hasta un 61% más de energía, lo que evidencia un enfoque de escalado agresivo de potencia.
Todo apunta a que Qualcomm mantendrá esta estrategia con los Snapdragon 8 Elite Gen 6, y sin una solución térmica como el Heat Pass Block, sostener ese rendimiento de forma continuada sería prácticamente inviable.
Vía: Wccftech
