El sector de la memoria avanzada para IA suma un nuevo movimiento estratégico. Intel y Saimemory, filial de SoftBank, han firmado un acuerdo para desarrollar y comercializar Z-Angle Memory (ZAM), una arquitectura de DRAM apilada en vertical diseñada para superar las limitaciones actuales de la HBM en capacidad, ancho de banda y consumo energético.
La tecnología ZAM está orientada específicamente a cargas de trabajo de IA y computación de alto rendimiento, donde la presión sobre la memoria se ha convertido en uno de los principales cuellos de botella del sistema.
Z-Angle Memory y el salto al apilado vertical en el eje Z
Z-Angle Memory toma su nombre del apilado vertical en el eje Z, un enfoque que permite incrementar la densidad de memoria sin disparar el consumo energético. Según los informes, esta arquitectura busca ir más allá de la HBM tradicional, tanto en capacidad total como en eficiencia.
El proyecto se apoya directamente en el trabajo previo de Next Generation DRAM Bonding (NGDB) de Intel, desarrollado dentro del programa Advanced Memory Technology (AMT) respaldado por el Gobierno de Estados Unidos. En este esfuerzo han participado instituciones como Sandia National Laboratories, Lawrence Livermore y Los Alamos, centradas en nuevas técnicas de apilado y unión vertical de DRAM.
En enero, Sandia confirmó que prototipos NGDB con ocho capas de DRAM apiladas verticalmente ya habían demostrado funcionalidad completa, validando el enfoque técnico que ahora se quiere escalar con ZAM.
Más capacidad, menor consumo y costes contenidos
De acuerdo con informes de Nikkei y Wallstreet.cn, Saimemory apunta a que Z-Angle Memory pueda ofrecer entre dos y tres veces más capacidad que la HBM actual, junto a una reducción del consumo energético del 40 al 50%, manteniendo al mismo tiempo costes competitivos frente a las soluciones existentes.
El calendario preliminar sitúa los primeros prototipos funcionales a comienzos de 2028, mientras que los productos comerciales llegarían en 2029, siempre que el desarrollo avance según lo previsto. Durante la fase de prototipado, SoftBank invertiría alrededor de 3.000 millones de yenes, centrados en validar la viabilidad técnica y económica del enfoque.
El regreso de Intel a la memoria avanzada
Para Intel, este acuerdo supone un retorno estratégico al desarrollo de tecnologías de memoria, décadas después de abandonar el mercado DRAM convencional. En un contexto dominado por la IA, donde el rendimiento ya no depende solo del silicio de CPU o GPU, la memoria se ha convertido en un elemento crítico del sistema.
Si Z-Angle Memory cumple sus promesas, podría convertirse en una alternativa real a la HBM en centros de datos, aceleradores de IA y sistemas de alto rendimiento, especialmente en escenarios donde capacidad, eficiencia energética y escalabilidad pesan más que la latencia absoluta.
Por ahora, el proyecto se encuentra en una fase temprana, pero el respaldo industrial y los avances previos en NGDB sugieren que Intel y Saimemory quieren posicionarse con antelación en la próxima generación de memoria para IA.
Vía: TechPowerUp
