La compañía ha decidido pisar el acelerador en Estados Unidos. TSMC estaría preparando un adelanto significativo en su calendario de nodos avanzados asociado a su ambicioso complejo fabril de Arizona, con la producción en masa de 3 nm prevista ahora para 2027, aproximadamente un año antes de lo inicialmente esperado. El movimiento refleja un cambio claro de estrategia en un contexto marcado por la demanda explosiva de silicio avanzado y una competencia cada vez más agresiva.
La instalación de Arizona se ha convertido en uno de los proyectos más relevantes del fabricante taiwanés fuera de su mercado doméstico. Tras iniciar la producción de 4 nm, el segundo bloque del complejo asumiría ahora la responsabilidad del nodo de 3 nm, reforzando el papel de Estados Unidos dentro de la cadena global de suministro de semiconductores avanzados.
La presión del sector de IA y los clientes HPC
Uno de los principales motores de este adelanto estaría en el crecimiento sostenido de la demanda de clientes HPC, que ya representan una parte muy significativa de la capacidad productiva de TSMC. El auge continuado del sector de IA, lejos de moderarse, está empujando a los grandes diseñadores de chips a reservar capacidad en nodos de 4 nm, 3 nm e incluso 2 nm con varios años de antelación.
En este escenario, acelerar Arizona permitiría a TSMC incrementar volumen fuera de Taiwán, diversificar riesgos geopolíticos y responder a una demanda que no deja de crecer. La fábrica estadounidense no solo cubriría necesidades locales, sino que se integraría plenamente en la estrategia global de capacidad del fabricante.
Además, el adelanto del nodo de 3 nm encaja con una política más amplia de expansión intensiva de capacidad, en la que la compañía ya ha comprometido inversiones masivas para reforzar su red de fábricas en distintos continentes.
Intel 18A y Samsung SF2 elevan la presión competitiva
El contexto competitivo también juega un papel clave. Intel ha intensificado su ofensiva con el proceso 18A, mientras que Samsung Foundry está acelerando su propia hoja de ruta, apostando directamente por SF2 (2 nm) en su planta de Taylor, en Texas, en lugar de nodos intermedios.
Según informaciones recientes, Samsung incluso habría logrado asegurar grandes clientes estratégicos, lo que demuestra que algunas compañías ya están explorando alternativas reales a TSMC para la fabricación de silicio avanzado. Este escenario rompe, al menos parcialmente, el dominio absoluto que el fabricante taiwanés ha mantenido en los últimos años.
Para TSMC, adelantar el despliegue de 3 nm en suelo estadounidense es una forma clara de reforzar su posición frente a estos rivales, asegurando capacidad suficiente y tiempos competitivos para los grandes clientes del sector de GPU, CPU y aceleradores de IA.
Expansión global, costes crecientes y retos operativos
El movimiento no está exento de desafíos. La compañía afronta un contexto de CapEx en máximos históricos, junto a escasez de mano de obra cualificada en varios mercados clave. A ello se suma la complejidad de operar una red fabril cada vez más extensa, con proyectos activos no solo en Estados Unidos, sino también en Japón y otras regiones estratégicas.
Aun así, la alternativa es limitada. Con una demanda que supera la oferta disponible, TSMC apenas tiene margen para frenar su expansión sin ceder terreno frente a Intel y Samsung. El adelanto del nodo de 3 nm en Arizona es, por tanto, una decisión defensiva y ofensiva a la vez, orientada a proteger su liderazgo tecnológico en un momento clave para el sector de semiconductores.
Si los plazos se cumplen, 2027 podría marcar un punto de inflexión en la presencia de nodos avanzados en Estados Unidos, con TSMC consolidando Arizona como un pilar real de su producción de silicio de vanguardia.
Vía: Wccftech
