Durante la Electronic Components Technology Conference (ECTC), Intel ha dado a conocer EMIB-T, la próxima evolución de su empaquetado embedded multi-die interconnect bridge (EMIB). Esta nueva tecnología se basa en el trabajo mostrado en el Intel Foundry Direct Connect 2025, con mejoras clave para el rendimiento y la fiabilidad de futuras arquitecturas.
TSVs y condensadores integrados para mejorar la entrega de potencia
A diferencia de los diseños EMIB convencionales, donde la entrega de potencia puede verse comprometida por caídas de voltaje, EMIB-T integra TSVs (through-silicon vias) directamente desde el sustrato del paquete hasta los chiplets. Además, incorpora condensadores metal-insulator-metal de alta potencia para compensar fluctuaciones rápidas de voltaje, asegurando una mejor integridad de señal y fiabilidad.
El Dr. Rahul Manepalli, vicepresidente de Desarrollo de Empaquetado de Sustratos en Intel, confirmó que EMIB-T permitirá una entrega de potencia más estable y mejor comunicación entre chiplets.
Pensado para la próxima generación de memoria HBM4 y más
Estas mejoras son críticas para las nuevas memorias HBM4 y HBM4e, donde se esperan velocidades de hasta 32 Gb/s por pin a través de la interfaz UCIe. Intel asegura que los primeros paquetes EMIB-T igualarán la eficiencia energética actual (0,25 pJ/bit), pero con una mayor densidad de interconexiones y un pitch de bumps por debajo de 45 µm.
Los planes de Intel contemplan, a partir de 2026, la producción de paquetes EMIB de 120 × 120 mm, ocho veces más grandes que un retículo estándar. Estos sustratos podrán albergar hasta 12 stacks de HBM junto a varios chiplets de cómputo y más de 20 puentes EMIB.
De cara a 2028, Intel planea empujar las dimensiones a 120 × 180 mm, permitiendo más de 24 stacks de memoria, ocho chiplets de cómputo y al menos 38 puentes EMIB, en línea con avances similares anunciados por TSMC y su tecnología CoWoS.
Novedades térmicas para mejorar la fiabilidad
Junto a EMIB-T, Intel ha presentado un nuevo heat spreader que reduce los vacíos en el material térmico en un 25 %, y un proceso de unión térmica por compresión que disminuye las deformaciones en estos grandes sustratos.
Estas innovaciones posicionan a EMIB-T como un paso esencial para la era de la computación a gran escala, donde la integración de memoria y cómputo será más densa y compleja que nunca.
Vía: TechPowerUp
