SK Hynix ha anunciado hoy que ha iniciado la producción en masa de la primera memoria Flash NAND 4D de 321 capas basada en celdas de triple nivel del mundo, con una capacidad de 1 TB.
Tras su anterior récord como primer proveedor del sector de la NAND de 238 capas más alta del mundo desde junio del pasado año, SK Hynix se ha convertido en el primer proveedor mundial de la NAND con más de 300 capas al encontrar un avance tecnológico para el apilamiento. La firma tiene previsto suministrar productos de 321 capas a sus clientes a partir del primer semestre del próximo año.
El apilamiento de más de 300 capas se hizo realidad cuando la compañía adoptó con éxito la tecnología de proceso «3 plugs». Conocido por su excelente eficiencia de producción, el proceso conecta eléctricamente tres conectores mediante un proceso de seguimiento optimizado una vez finalizados los procesos de tres conectores. Para el proceso, SK hynix desarrolló un material de baja tensión, al tiempo que introdujo la tecnología que corrige automáticamente las alineaciones entre los plugs.
Con la adopción de la misma plataforma de desarrollo de la NAND de 238 en el producto de 321, la empresa también pudo mejorar la productividad en un 59%, en comparación con la anterior generación, al minimizar cualquier impacto derivado de un cambio de proceso.
El último producto presenta una mejora del 12% en la velocidad de transferencia de datos y del 13% en el rendimiento de lectura, en comparación con la generación anterior. También mejora la eficiencia energética de la lectura de datos en más de un 10%.
SK Hynix tiene previsto ampliar progresivamente el uso de los productos de 321 de alto rendimiento proporcionándolos a las incipientes aplicaciones de IA, que precisan bajo consumo y alto rendimiento.
Jungdal Choi, director de desarrollo de NAND en SK hynix, dijo que el último desarrollo lleva a la compañía un paso más cerca del liderazgo del mercado de almacenamiento de IA representado por SSD para centros de datos de IA e IA en dispositivos. «SK hynix está en camino de avanzar hacia el proveedor de memoria de IA de pila completa mediante la adición de una cartera perfecta en el espacio de NAND de rendimiento ultra alto además del negocio de DRAM liderado por HBM».
Vía: SK Hynix
