Hoy, el fabricante Samsung ha anunciado que ha desarrollado la primera memoria DRAM GDDR7 de 24 Gb del sector. Esta memoria está pensada para centros de datos y workstations de IA, así como para tarjetas gráficas, consolas, y conducción autónoma.
Según se ha revelado, la nueva memoria duplica la capacidad de la DRAM GDDR7 de 16 Gb del pasado año. El chip está basado en un proceso de 10 nm de quinta generación, que mejora la densidad de celdas en un 50% manteniendo el mismo tamaño que su predecesor.
Gracias a una modulación de amplitud de impulsos de tres niveles (PAM3), la velocidad se ha elevado a 42,5 Gbps, un 25% más que la versión anterior. Según la compañía, la eficiencia energética ha mejorado más de un 30%.
Este mismo año comenzará la validación de la DRAM GDDR7 de 24 Gb en los principales sistemas de IA de los clientes de GPU. Está previsto que el chip se comercialice a principios del próximo año.
Vía: GSMArena
