Científicos del Instituto Tecnológico de Tokio han desarrollado un nuevo tipo de DRAM apilada o 3D que los investigadores denominan Bumpless Build Cube 3D o BBCube 3D, que se basa en TSV (Through Silicon Vias) para conectar los dies de la DRAM.
Este enfoque es distinto al de las memorias HBM, que se basan en microprotuberancias para conectar las capas entre sí, y los científicos japoneses afirman que su solución de oblea sobre oblea sin protuberancias debería permitir no solo un proceso de fabricación más sencillo, sino, lo que es más importante, una mejor refrigeración, ya que los TSVs pueden canalizar la temperatura de los dies de la DRAM hacia el sustrato en el que se monte finalmente la pila BBCube 3D.
Por si fuera poco, los investigadores creen que BBCube 3D podrá alcanzar velocidades superiores a las de HBM gracias a la combinación de TSVs relativamente cortos y un «paralelismo de señales de alta densidad«.
Se espera que BBCube 3D proporcione hasta 32 veces más ancho de banda que la memoria DDR5 y cuatro veces más que la memoria HBM2E, al tiempo que consume menos. El documento de investigación entra en muchos más detalles para los interesados en conocer más de cerca este cambio potencialmente revolucionario en el ensamblaje de las DRAM.
Sin embargo, la pregunta que sigue sin respuesta es si esto acabará siendo un producto real en algún momento de un futuro próximo, todo ello en función de lo fabricable que sea la memoria BBCube 3D.
Vía: TechPowerUp
