xLight recibe hasta 150 M$ del Gobierno de EE. UU. para desarrollar láseres EUV de nueva generación

xLight recibe hasta 150 M$ del Gobierno de EE. UU. para desarrollar láseres EUV de nueva generación

El Departamento de Comercio de EE. UU. (DOC) ha anunciado un nuevo apoyo financiero al ecosistema nacional de fabricación de chips, beneficiando en esta ocasión a la joven empresa xLight. La startup, especializada en tecnología EUV Free Electron Lasers (FEL), ha firmado una carta de intenciones preliminar dentro del marco de la CHIPS and Science Act, que abre la puerta a una financiación de hasta 150 millones de dólares. Aunque el DOC no ha revelado la participación estatal, la medida busca reforzar la capacidad estadounidense frente al dominio de ASML.

El interés en xLight creció a comienzos de 2025, cuando Pat Gelsinger, ex CEO de Intel, se incorporó como presidente ejecutivo de la compañía. Según su CEO y CTO, Nicholas Kelez, el proyecto se centra en construir el primer sistema EUV FEL dentro del Albany Nanotech Complex, aprovechando su infraestructura avanzada de litografía para acelerar la investigación y el desarrollo de nuevas fuentes de luz para fabricación de semiconductores.

xLight recibe hasta 150 M$ del Gobierno de EE. UU. para desarrollar láseres EUV de nueva generación

Una alternativa a la litografía tradicional de ASML

El enfoque de xLight se presenta como un cambio de paradigma respecto a la actual litografía EUV LPP empleada por ASML. Según la empresa, existen dos factores críticos para mejorar la productividad y el rendimiento de los chips: potencia y polarización. Su sistema EUV Free Electron Laser aborda ambos aspectos, proporcionando cuatro veces más potencia que la tecnología LPP actual.

Esta mejora permitiría a las fabs lograr un rendimiento hasta 4× superior, una reducción del ~50% en el coste por oblea y miles de millones de dólares adicionales en ingresos por escáner. Además, un único sistema de xLight podría alimentar hasta 20 máquinas ASML, con una vida útil de 30 años, reduciendo los costes de capital y operación en más de 3×, algo sin precedentes en la industria de la litografía EUV.

xLight recibe hasta 150 M$ del Gobierno de EE. UU. para desarrollar láseres EUV de nueva generación

Una oportunidad estratégica para la CHIPS Act

Durante la firma del acuerdo preliminar, Pat Gelsinger afirmó que “revivir la Ley de Moore y restaurar el liderazgo estadounidense en la luz es una oportunidad única en una generación”. Añadió que con el respaldo federal, xLight podrá crear un láser EUV energéticamente eficiente con mejoras de 10× respecto a la tecnología actual, impulsando la productividad de las fábricas y fortaleciendo la capacidad doméstica crítica del país.

Con esta inversión, xLight se consolida como una pieza clave del programa CHIPS Act, orientada a devolver a Estados Unidos un papel protagonista en la fabricación avanzada de semiconductores y en la próxima era de la litografía EUV de alta potencia.

Vía: TechPowerUp

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