Toshiba ha presentado hoy la última incorporación de su línea de memoria flash tridimensional BiCS FLASH con una estructura de celdas apiladas, un dispositivo de 64 capas que logra una capacidad de 512 gigabits (64 gigabytes) con tecnología Bit-per-cell (célula de triple nivel, TLC). El nuevo dispositivo se utilizará en aplicaciones que incluyen SSD empresarial y de consumidor.

Toshiba continúa perfeccionando BiCS FLASH y el próximo hito en su plan de desarrollo es la capacidad más grande de la industria, un producto de 1 terabyte con una arquitectura de 16-die apilados en un solo paquete. Para el nuevo dispositivo de 512 gigabits, Toshiba implementó un proceso de apilamiento de 64 capas de última generación para lograr un 65% más de capacidad por unidad de tamaño de chip que el de 48 capas de 256 gigabits (32-gigabytes) y ha aumentado la capacidad de memoria por oblea de silicio, reduciendo el coste por bit.

Los envíos de muestra del chip comenzaron este mes y la producción en masa está prevista para la segunda mitad del presente año.

Vía: Techpowerup