Gracias a la información compartida por Piglin, un usuario de Baidu, ya disponemos de una imagen con anotaciones del die del procesador Snapdragon X Elite de Qualcomm.
Dicho análisis profundiza en la arquitectura de este nuevo SoC, poniendo de relieve varias características clave, como los núcleos de CPU de gran tamaño, una GPU y un complejo sistema de caché.
Según el informe, el die del Snapdragon X Elite tiene un tamaño de 169,6 mm² y está fabricado con el proceso N4P de 4 nm de TSMC. Una de las características más destacadas de la imagen es el considerable tamaño de los núcleos de la CPU Oryon «Phoenix», cada uno de los cuales mide unos 2,55 mm².
Dichos núcleos son notablemente más grandes que los típicos núcleos de CPU ARM, lo que resulta lógico dada su finalidad primigenia para centros de datos. La configuración 8+4 del SoC incluye un total de 12 núcleos de CPU.
Su GPU, Adreno X1, ocupa un área de die de 24,3 mm², aproximadamente la mitad que el CPU y la sección de caché del CPU. Qualcomm afirma que, pese a su tamaño compacto, la GPU ofrece aproximadamente 4,6 FP32 TFLOPS de rendimiento bruto, una cifra equiparable a la RTX 3050 de NVIDIA.
La NPU de 45 TOPS, que Qualcomm ha destacado como característica clave, no se aprecia claramente en la imagen. Además, otro aspecto notable es el amplio sistema de caché. Los tres clústeres de CPU de cuatro núcleos ocupan 6,1 mm² cada uno y cuentan con 12 MB de caché L2 de alta velocidad.
Asimismo, existen 6 MB dedicados a la caché a nivel de sistema en un área de 5,09 mm², junto con una caché de GPU independiente. El CPU, en total, cuenta con 54 MB de caché distribuidos por todo el die. En el informe también se compara el Snapdragon X Elite con el SoC M4 de Apple.
Cabe señalar, no obstante, que no se trata de una comparativa precisa, dado que Apple utiliza un nodo de clase N3E de 3 nm para su chip. En este mismo post se muestra el die anotado del Snapdragon X Elite y el M4 de Apple extraído del informe original.
Vía: TechPowerUp
