Samsung detalla su memoria HBM4e con hasta 3,25 TB/s y eficiencia duplicada
Samsung ha revelado nuevos detalles sobre su próxima generación de memoria HBM4e, diseñada para aceleradores de inteligencia artificial y centros de datos de alto rendimiento. Durante el OCP Global Summit 2025, la compañía confirmó que esta memoria alcanzará velocidades superiores a 13 Gbps por pin, con un ancho de banda total de 3,25 TB/s, lo … Samsung detalla su memoria HBM4e con hasta 3,25 TB/s y eficiencia duplicada









