La Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC), el mayor fabricante de semiconductores de China, ha comenzado las pruebas de un escáner de litografía DUV de inmersión desarrollado por Shanghai Yuliangsheng Technology. El proyecto, bautizado como “Mount Everest”, busca impulsar una cadena de suministro local y disminuir la dependencia de proveedores occidentales, especialmente tras las restricciones impuestas por EE. UU. en 2024.
Un escáner comparable a diseños de 2008
El sistema de Yuliangsheng está diseñado para procesos de 28 nm, ofreciendo unas prestaciones similares a los equipos Twinscan de ASML lanzados en torno a 2008. Aunque en teoría este tipo de herramientas pueden empujarse hasta 7 nm o incluso 5 nm mediante multi-patterning, esta técnica incrementa la complejidad, reduce el rendimiento y exige un control de alineación extremadamente preciso.
Actualmente, los nodos de 7 nm y 5 nm de SMIC se fabrican mediante quad-patterning, lo que implica realizar hasta cuatro exposiciones láser por patrón para alcanzar un nodo más moderno, aumentando los costes y reduciendo la productividad.
Dependencia parcial de componentes extranjeros
Aunque el escáner está compuesto principalmente por piezas de origen local, todavía incorpora algunos componentes importados. Por ahora, SMIC se encuentra en una fase inicial de pruebas, logrando apenas el “first light” o el primer patrón sobre silicio, sin llegar todavía a la integración en un flujo de producción completo.
El Departamento de Comercio de EE. UU. incluyó a Yuliangsheng en la entity list a finales de 2024, lo que añade presión estratégica al proyecto y explica la urgencia por localizar el resto de la cadena de suministro y calificar la máquina para uso en fábrica.
Integración en líneas de producción para 2027
Según los planes de SMIC, los primeros equipos DUV locales calificados podrían integrarse en sus fábricas a partir de 2027. Sin embargo, incluso con estos avances, cerrar la brecha tecnológica con los líderes mundiales en litografía y lograr rendimientos competitivos en sub-10 nm requerirá varios años adicionales de rediseño, validación y escalado industrial.
Vía: TechPowerUp
