Los principales fabricantes de memoria de Corea del Sur se preparan para dar el siguiente paso en memoria de bajo consumo. SK hynix y Samsung confirmarán sus primeras soluciones LPDDR6 durante la International Solid-State Circuits Conference 2026, que se celebrará en San Francisco entre el 15 y el 19 de febrero. El evento es uno de los escaparates técnicos más relevantes del sector, centrado en avances de diseño de silicio y memorias avanzadas.
Para ambos fabricantes, LPDDR6 supone la sexta generación de DDR de bajo consumo, orientada a dispositivos móviles, portátiles ultraligeros y sistemas de alto rendimiento donde la eficiencia energética es crítica.
SK hynix apuesta por velocidad máxima en LPDDR6
SK hynix presentará módulos LPDDR6 de 16 Gb capaces de alcanzar una velocidad por pin de 14,4 Gbps, funcionando en el máximo perfil definido por JEDEC para este estándar. Estas memorias están fabricadas en el nodo 1c (1γ), correspondiente a la sexta generación de DRAM de 10 nm de la compañía.
El hecho de operar ya en los límites del estándar sugiere que SK hynix está exprimiendo al máximo LPDDR6, lo que abre la puerta a futuras variantes LPDDR6X con frecuencias aún más elevadas, una evolución similar a la vivida en generaciones anteriores.
Samsung mejora su LPDDR6 tras CES 2026
Por su parte, Samsung llega a ISSCC con una revisión mejorada de su LPDDR6. Tras mostrar módulos de 10,7 Gbps en CES 2026, la compañía presentará ahora versiones de 16 Gb a 12,8 Gbps, un salto relevante en apenas unas semanas.
Estas memorias se fabrican en un proceso de 12 nm, ligeramente más grande que el de SK hynix, pero Samsung afirma que aun así ofrecen un 21% más de eficiencia energética frente a LPDDR5X. A nivel de señalización, la compañía utiliza NRZ para las E/S, junto con una arquitectura de subcanal 12DQ, una configuración que previsiblemente también adoptará SK hynix.
Nuevas funciones clave del estándar LPDDR6
Más allá de velocidad y consumo, LPDDR6 introduce cambios estructurales importantes frente a generaciones anteriores. El más destacado es la integración del seguimiento del conteo de activaciones de filas, una novedad absoluta en estándares DRAM. Esta función permite combatir de forma directa los ataques row hammer, ya que tanto el controlador como el chip de memoria supervisan las activaciones, en lugar de depender solo de técnicas de refresco como ocurría hasta ahora.
El estándar también incorpora metadatos integrados en los propios paquetes de datos, eliminando la necesidad de pines dedicados. Esto habilita corrección de errores on-die y en el enlace, con corrección de un bit y detección de múltiples bits, mejorando la fiabilidad en escenarios exigentes.
Más eficiencia y mayor densidad
En el apartado energético, LPDDR6 da otro paso adelante con escalado dinámico de voltaje y frecuencia en tres raíles, frente a los dos de LPDDR5. Además, se introducen modos de eficiencia capaces de duplicar la densidad del dispositivo mientras se reduce el consumo de energía en las operaciones de E/S.
Estas mejoras sitúan a LPDDR6 como una pieza clave para SoC móviles de próxima generación, IA en el edge y plataformas donde el equilibrio entre rendimiento, consumo y seguridad será cada vez más determinante.
Con su presentación en ISSCC 2026, SK hynix y Samsung dejan claro que la nueva generación de memoria de bajo consumo no se limita a subir frecuencias, sino que redefine aspectos críticos del diseño de DRAM para los próximos años.
Vía: TechPowerUp
